Введение
ГЛАВА 1 Тонкие металлические пленки (обзор литературы) 10
1.1 Методы получения тонких пленок 11
1.2 Ориентированная кристаллизация пленок 12
1.3 Механизмы роста пленок 14
1.3.1 Рост пленки по Фольмеру и Веберу 14
1.3.2 Рост пленки по Франку и Ван дер Мерве 15
1.3.3 Рост пленки по Крастанову и Странскому 17
1.4 Структура псевдоморфного слоя 20
1.5 Механизм релаксации упругих деформаций
псевдоморфного слоя 23
1.6 Кристалл огеометрические критерии ориентированной кристаллизации 32
1.7 Энергия межфазных границ в металлических пленочных системах 36
1.8 Фазовый размерный эффект 38
1.9 Дефекты кристаллической структуры пленок 41
1.9.1 Вакансии 41
1.9.2 Примесные атомы 42
1.9.3 Дислокации 43
1.9.4 Дефекты упаковки 44
1.10 Постановка задач 46
ГЛАВА 2 Методика компьютерного эксперимента 49
2.1 Межатомное взаимодействие 51
2.2 Расчетные схемы 52
2.2.1 Алгоритм метода молекулярной динамики 53
2.2.2 Алгоритм метода статической релаксации 56
2.3 Метод погруженного атома 57
2.4 Расчет основных характеристик моделей 60
2.4.1 Измерение термодинамических величин 60
2.4.2 Структурные функции 61
2.4.3 Многогранники Вороного 64
2.5 Периодические граничные условия 66
ГЛАВА 3 Построение компьютерных моделей тонкопленочных систем Cu-Ni, Cu-PdHNi-Pd 70
3.1 Построение молекулярно-динамических моделей подложек различных ориентации и создание аморфных пленок 70
3.2 Методика молекулярно-динамического расчета 71
ГЛАВА 4 Структурные и субструктурные превращения в тонкопленочных системах Cu-Ni, Cu-Pd И Ni-Pd 73
4.1 Структурные и субструктурные превращения при
ориентированной кристаллизации аморфной пленки Си на
(001)М в условиях изохронного отжига 73
4.1.1 Ориентированная кристаллизация пленки Си на монокристаллической подложке Ni ориентации (001) 73
4.1.2 Механизмы компенсации размерного несоответствия 76
4.1.3 Эволюция структуры пленки в процессе отжига 79
4.2 Структурные и субструктурные превращения при ориентированной кристаллизации аморфных пленок Си на (HO)Ni, Си на (110)Pd-и Ni на (HO)Pd в условиях изохронного отжига 83
4.2.1 Структурная релаксация при кристаллизации
тонких пленок CunNi 83
4.2.2 Эволюция дефектной структуры пленок при отжиге 95
4.3 Структурные и субструктурные превращения при ориентированной кристаллизации аморфных пленок Си на (11 l)Ni, Си на(11 l)Pd и Ni на (lll)Pd в условиях
изохронного отжига 101 4.3.1 Структурная релаксация при кристаллизации тонких пленокСина(Ш)МиСи,№на(111)Р(1 101
4.3.2 Превращения дефектной структуры пленок Си на (11 l)Ni и Си, Ni на (11 l)Pd при отжиге 107
4.4 Структурная самоорганизация монослоя Ni на (11 l)Pd 111
Основные результаты и выводы 114
Цитируемая литература
