Введение
ГЛАВА 1 Анализ состояния развития комплементарных биполярных технологических процессов 11
1.1 Начало развития КБТП 11
1.2 Конструкции интегральных pnp-транзисторов 11
1.3 Сверхвысокочастотные комплементарные биполярные технологические процессы 14
1.4 Технологические особенности производства ИМС в Российской Федерации 17
1.5 Симметрия параметров комплементарных биполярных транзисторов 19
1.6 Радиационная стойкость аналого-цифровых ИМС на основе комплементарных биполярных транзисторов 20
1.7 Параметры биполярных транзисторов 21
1.8 Элементы конструкции биполярных транзисторов 22
1.8.1 Межэлементная изоляция 22
1.8.1.1 Изоляция обратносмещенным p-n переходом 22
1.8.1.2 Полная диэлектрическая изоляция 23
1.8.1.3 Изоляция с помощью КНИ-подложек 23
1.8.1.4 Комбинированный способ изоляции 25
1.8.1.5 Боковая щелевая изоляция 26
1.8.2 Область коллектора 29
1.8.2.1 Неоднородный профиль распределения примеси в коллекторе 32
1.8.3 Изоляция активных областей транзисторов 34
1.8.4 Область базы
1.8.4.1 Технологии самосовмещения 35
1.8.4.2 Спейсеры 39
1.8.4.3 Выбор метода формирования пассивной базы 40
1.8.4.4 Область активной базы 42
1.9 Дополнительные элементы КБТП 42
1.9.1 Интегральные диоды Шоттки 43
1.9.2 Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом 45
1.10 Выводы з
ГЛАВА 2 Особенности приборно-технологического моделирования свч комплементарных биполярных транзисторов 49
2.1 Особенности построения расчётной сетки 49
2.2 Выбор моделей технологических процессов
2.2.1 Критерии выбора оптимальной модели технологического процесса 52
2.2.2 Ионная имплантация
2.2.1.1 Имплантация акцепторной примеси 56
2.2.1.2 Имплантация донорной примеси 59
2.2.1.3 Имплантация через маскирующий оксид кремния 61
2.2.1.4 Имплантация в поликремний 62
2.2.2 Температурная обработка 63
2.2.2.1 Диффузия акцепторной примеси 64
2.2.2.2 Диффузия донорной примеси 68
2.2.2.3 Диффузия из поликремния 70
2.2.2.4 Моделирование процесса окисления 71
2.2.3 Методология решения задач технологического проектирования 72
2.3 Анализ электрофизических характеристик интегральных элементов 73
2.3.1 Процессы генерации-рекомбинации 74
2.3.2 Подвижность носителей заряда 76
2.4 Выводы 77
ГЛАВА 3 Результаты проектирования сверхвысокочастотных КБТ 78
3.1 Элементы конструкции КБТ 78
3.1.1 Конструктивные элементы при комбинированном способе изоляции 78
3.1.1.1 Скрытый слой изоляции n– 78
3.1.1.2 Формирование глубоких областей щелевой изоляции 79
3.1.2 Область коллектора 82
3.1.2.1 Особенности системы слаболегированный слой/скрытый слой 82
3.1.2.2 Формирование области коллектора при диэлектрической изоляции 83
3.1.2.3 Параметры эпитаксиальной пленки n-типа 84
3.1.2.4 Методы управления обратной диффузии 85
3.1.2.5 Область перекомпенсации 89
3.1.2.6 Селектино-имплантированный коллектор 91
3.1.2.7 Неоднородный профиль, сформированный в процессе перекомпенсации 93
3.1.2.8 Формирование областей глубокого коллектора 94
3.1.3 Методы изоляции активных областей транзисторов 96
3.1.3.1 Особенности формирования ЛОКОС-изоляции 97
3.1.4 Особенности формирования областей пассивной базы 98
3.1.4.1 Ограничения метода формирования пассивной базы с помощью имплантации 98
3.1.4.2 Особенности формирования самосовмещенной пассивной базы КБТ 100
3.1.4.3 Оптимизация режимов формирования области пассивной базы 101
3.1.4.4 Формирование спейсеров 106
3.1.5 Область активной базы: финальный профиль распределения примеси 109
3.2 Экспериментальные исследования 115
3.3 Выводы 120
ГЛАВА 4 Дополнительные элементы КБТП 121
4.1 Интегральные диоды Шоттки 121
4.1.1 Технологические особенности 123
4.1.2 Конструктивные особенности 124
4.1.3 Экспериментальные исследования 127
4.2 Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом 131
4.2.1 Технологические особенности 131
4.2.2 Конструктивные особенности 135
4.2.3 Экспериментальные исследования 137
4.3 Выводы 140
Заключение 141
Список литературы 142
