Введение
1 Модель омріческого контакта металл-полупроводник 9
1.1 Физическая модель контакта металла с полупроводником 9
1.2 Роль поверхностных состояний. Реальные переходы металл -полупроводник 13
1.3 Модель омического контакта металл - полупроводник 16
1.4. Методы измерения удельного переходного сопротивления омических контактов 26
1.4.1 Удельное переходное сопротивление омического контакта 26
1.4.2 Методы измерения удельного переходного сопротивления омических контактов 27
1.5 Анализ омических контактов к карбиду кремния 31
Выводы к разделу 1 40
2 Характеристика гетероструктуры 3c-sic/siи ее влияние на контактную систему металл-полупроводник 41
2.1 Диффузионная технология создания гетероэпитаксиальных структур ЗС-SiC/Si с использованием твердофазного кремния и углерода 41
2.2 Морфология поверхности гетероэпитаксиальных пленок ЗС-SiC/Si 48
2.3 Рентгеноструктурный анализ гетероэпитаксиальных пленок 3C-SiC/Si...52
2.4 Электронографические исследования гетероэпитаксиальных пленок ЗС-SiC/Si 54
2.5 Химический анализ состава гетероэпитаксиальных слоев ЗС-SiC/Si 57
2.5.1 Методика проведения количественного анализа состава 57
2.5.2 Количественный анализ состава гетероэпитаксиальных пленок ЗС-SiC/Si 60
2.6 Гетеропереходы в системе карбид кремния 66
2.6.1 Расчет параметров энергетической диаграммы анизотипного гетероперехода n-SiC/p-Si 67
2.6.2 Расчет параметров энергетической диаграммы анизотипного гетероперехода p-SiC/n-Si 74
2.6.3 Электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-Si 76
Выводы к разделу 2 84
3 Структурные исследования системы контакт-гетероструктура B-SIC-SI 85
3.1 Технологические операции формирования топологии контактных площадок к гетероструктурам SiC/Si 85
3.1.1 Магнетронное распыление 86
3.1.2 Фотолитография по металлу 87
3.2 Анализ контактных систем Ni, Ni-Si, используемых для контактов к гетероструктурам (З-n-SiC/p-Si 88
3.2.1 Влияние морфологии поверхности на поведение ВАХ 90
Выводы к разделу 3 94
4 Методика исследования контактных систем NI, NI-SIК В-N-SIC/P-SIИ анализ результатов 95
4.1 Омические контакты к гетероструктурам p-n-SiC/p-Si 96
4.1.1 Исследование зависимости удельного переходного сопротивления от различных параметров 98
4.1.2 Зависимость морфологии контакта от термообработки 107
4.1.3 Температурные ВАХ контактных систем Ni, (Ni-Si)-|3-n-SiC/p-Si 108
4.2 Расчетно-статистический метод измерения сопротивления омических контактов к SiC
4.3 Исследование стабильности свойств омических контактов к SiC 113
Выводы к разделу 4 115
Заключение 116
Список использованных источников 118
Приложение
