Введение
Глава 1 Общие вопросы разработки конструкции и технологии изготовления тонкопленочных тензорези-сторных датчиков давления 12
Выводы 31
Глава 2 Процессы, происходящие в тонкопленочном тензорезисторном чувствительном элементе датчика давления
2.1 Анализ причин нестабильности параметров тонкопленочных тензоре-зисторов 33
2.2 Анализ толщины и состава реальной тонкопленочной гетероструктуры на чувствительном элементе тензорезисторного тонкопленочного ДД 40
2.3 Процессы образования тонких резистивных пленок 46
2.4 Выбор физико-математической модели электропроводности и температурного коэффициента сопротивления тонкой пленки 59
2.5 Выбор физико-математической модели тензочувствительности тонкой пленки 62
2.6 Механизм образования дефекта в тонкопленочной гетероструктуре 69
Выводы 76
Глава 3 Методика импульсной токовой отбраковки потенциально ненадежных тонкопленочных тензорези-сторов
3.1 Особенности применения импульсной токовой отбраковки для тонкопленочного тензорезисторного чувствительного элемента датчика давления 78
3.2 Модель воздействия импульсной токовой нагрузки на тонкопленочный тензорезистор и тензомост 85
3.3 Разработка методики применения импульсной токовой отбраковки для реальной тонкопленочной гетероструктуры на чувствительном элементе тензорезисторного тонкопленочного датчика давления 95
Выводы 102
Глава 4 Внедрение методики повышения стабильности параметров тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления
4.1 Внедрение методики импульсной токовой отбраковки в технологию изготовления реальных чувствительных элементов тензорезисторных тонкопленочных датчиков давления 103
4.2 Результаты изготовления и эксплуатации тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления с импульсной токовой отбраковкой тензосхемы 106
Выводы 122
Заключение 127
Перечень принятых сокращений 129
Литература 130
