Введение
Глава 1 Структуры на основе нитрида галлия для формирования микроприборов 12
1.1 Основные характеристики и применение нитридов ІІІ группы 12
1.1.1 Свойства нитридов ІІІ группы 12
1.1.2 Эпитаксиальные структуры нитридов ІІІ группы 15
1.2 Микропрофилирование приборных структур на основе AlGaN 24
1.2.1 Химическое («жидкостное») травление 24
1.2.2 Плазменное («сухое») травление 26
1.3 Формирование контактных систем к материалам AlGaN 39
1.3.1 Омические контакты к системе AlGaN 39
1.3.2 Формирование барьерного контакта к нитриду галлия 57
1.4 Формирование микроприборов на нитриде галлия 60
1.5 Выводы по главе 1 64
Глава 2 Применение технологии микропрофилирования для формирования микроприборов на основе нитридов ІІІ группы 66
2.1 Оценка микрорельефа и морфологии поверхности 66
2.1.1 Атомно-силовая микроскопия 66
2.2.1 Оптическая профилометрия 68
2.2 Экспериментальные исследования процесса микропрофилирования нитрида галлия в хлорсодержащей среде 71
2.2.1 Влияние мощности источника индуктивно-связанной плазмы на параметры травления 73
2.2.2 Влияние высокочастотной мощности на параметры травления 75
2.2.3 Влияние давления в камере на параметры травления 76
2.2.4 Влияние расхода газовой смеси на параметры травления 77
2.3 Процессы селективного травления GaN/AlGaN при создании приборных структур 80
2.4 Исследование влияния режимов обработки поверхности полупроводника на параметры барьерной металлизации 84
2.5 Выводы по главе 2 86
Глава 3 Исследование контактных систем к нитридным полупроводникам 88
3.1 Контроль сопротивления омических контактов 88
3.2 Подбор системы металлизации омических контактов к материалам AlGaN 92
3.3 Модификация поверхности для улучшения качества омических контактов к системе AlGaN 101
3.4 Подбор системы металлизации для барьерных контактов к структурам на основе AlGaN 107
3.5 Выводы по главе 3 109
Глава 4 Изготовление и исследование характеристик микроприборов на основе нитридов III группы 111
4.1 Измерение параметров микроприборов на основе AlGaN/GaN на пластине 111
4.2 Технологический маршрут изготовления и исследование характеристик микроприборов диодов Шоттки 113
4.2.1 Технологический маршрут изготовления диодов Шоттки 113
4.2.2 Исследование характеристик диодов Шоттки 116
4.3 Последовательность технологических операций по изготовлению транзисторов и исследование их характеристик 122
4.3.1 Последовательность технологических операций по изготовлению транзисторов 122
4.3.2 Исследование характеристик транзисторов 126
4.4 Выводы по главе 4 133
Заключение 135
Список используемой литературы 140
