Введение
Глава 1. Литературный обзор. 10
1.1. Собственные точечные дефекты в кремнии 19
1.2, Растворимость точечных дефектов в полупроводнике 23
Глава 2. Термодинамшса образования точечных дефектов . 31
2.1. Свободная энергия системы расплав-полупроводник, 31
2.2. Минимизация свободной энергии Гиббса методом неопределенных коэффициентов Лагранжа 34
2.3. Определение положения уровня Ферми. 37
2.4. Расчет активности примеси в расплаве. 46
2.5. Определение термодинамических параметров образования примеси в кремнии и германия. 51
2.6. Моделирование совместной растворимости фосфора и алюминия в кремнии 57
2.7. Выводы ко второй главе: 61
Глава 3. Термодинамшса образования собственных точечных дефектов в кремнии . 63
3.1. Зарядовые состояния собственных точечных дефектов в кремнии 63
3.2. Термодинамика образования вакансий и междоузельных атомов . 68
3.3. Влияние электронной подсистемы на соотношения между концентрациями вакансий и междоузельных атомов в кремнии. 73
3.4. Вывода к третьей главе: 77
Глава 4 Влияние электронной подсистемы и условий выращивания на дефектообразование 81
4.1 Изменение модели Воронкова для случая легированного полупроводника. 83
4.2. Моделирование распределения микродефектов в кремнии в процессе выращивания , 90
4.3. Влияние легирования на распределение микродефектов в бездислакационном кремнии в процессе выращивания. 95
4.4. Выводы к четвертой главе: 98
Глава 5. Термодинамика растворимости одиночных атомов в систме квантовых точек 99
5.1.Рассмотрение задачи растворимость одиночных атомов в системе квантовых точек
методом минимизации свободной энергии Гиббса. 100
5.2. Критерии эффективного введение в квантовые точки одиночного атома примеси. 103
5.3. Моделирование растворимости атомов фосфора в системе германиевых квантовых точек. 104
5.4. Выводы к пятой главе: 106
Выводы по диссертации: 109
Список литературы: 110
Список работ автора диссертации: 118
Приложение 120
