Введение
ГЛАВА I. Анализ современного состояния проблемы и постановка задачи 7
ГЛАВА 2. Методика исследования термоэлектрических свойств и электронной структуры соединений переходных элементов 31
2.1. Общая характеристика анализа процессов переноса 33
2.2. Методика анализа электро- и теплопереноса в полупроводниках со сложным электронным строением 37
2.3. Расчет электронного энергетического спектра 46
2.4. Общая характеристика исследуемых объектов 60
ГЛАВА 3. Метода направленного изменения термоэлектрических свойств исследованных соединений 68
3.1. Регулирование свойств в области гомогенности при отклонении систем от стехиометрического состава 68
3.2. Легирование
3.3. Формирование оптимальных микроструктур образцов и использование явления анизотропии термоэлектрических свойств 86
ГЛАВА 4. Халькогенида 99
4.1. Халькогенида стехиометрического состава 99
4.2. Халькогенида в области гомогенности при отклонении составов от стехиометрических
4.3. Легированные халькогенида 119
ГЛАВА 5. Пниктида 130
5.1. Пниктида стехиометрического состава 130
5.2. Легированные пниктида 139
ГЛАВА 6. Силициды 152
6.1. Силициды стехиометрического состава стр. 152
6.2. Нестехиометрические и легированные силициды 168
ГЛАВА 7. Бориди 182
7.1. Гексабориды стехиометрического состава 182
7.2. Легированные гексабориды . 193
ГЛАВА 8. Обсуждение результатов 206
8.1. Основные закономерности изменения свойств в систематизированных группах полупроводниковых соединений . 206
8.2. Влияние дефектов на термоэлектрические свойства . 242
8.3. Общее рассмотрение результатов работы 265
ГЛАВА 9. Рекомендации по использованию результатов работы . 282
9.1. Рекомендации научного характера 282
9.2. Рекомендации новых технических материалов и критерии их эффективности 304
Заключение 324
Литература
