Типичные особенности теплового сопротивления и критические показатели в фононной модели структурного фазового перехода кристаллов

Ростова Антонина Тимофеевна. Типичные особенности теплового сопротивления и критические показатели в фононной модели структурного фазового перехода кристаллов : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 Ставрополь, 2005 129 с. РГБ ОД, 61:06-1/440
Автор
Ростова Антонина Тимофеевна
Год
2005
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1 Обзор литературы, экспериментальных данных и методов исследования теплопроводности кристаллов 11
1.1. Теплопроводность кристаллов - общие положения 11
1.2. Обзор механизмов рассеяния фононов в кристаллах с дефектами. Влияние на теплопроводность. Методы исследования 14
1.3. Теплопроводность кристаллов вблизи температуры структурного фазового перехода 23
Глава 2 Рассеяние фононов. классиификация собенностей теплового сопротивления кристаллов вблизи Тс 32
2.1. Кооперативные эффекты 32
2.2. Транспортное уравнение типа Бете-Солпитера. Функции Грина неупорядоченного кристалла 34
2.3 Транспортное время релаксации 49
2.4. Решение обобщенного транспортного уравнения 51
2.5. Спектральная плотность частот. Скорость релаксации фононов вблизи Тс 56
2.6. Механизмы рассеяния фононов. Неупругое, квазиупругое рассеяние 60
2.7. Численный анализ температурного поведения теплопроводности систем типа SrTiOi и KDP 67
2.8. Типичные особенности теплового сопротивления сегнетоэлектриков 75
Глава 3 Система критических индексов теории универсальности в фононной модели сегнетоэлектрика 79
3.1. Принципы и действие ренормализационной группы 79
3.1 1. Идея метода ренормализационной группы 79
3.1.2. Траектории гамильтониана при репормгрупповом преобразовании 81
3.1.3. Понятие неподвижной точки 83
3.2. Расчет и систематизация критических индексов 86
3.2.1. Корреляционная функция ток-ток и положение неподвижной точки 86
3.2.2. Система и анализ критических индексов 89
Глава 4 Эффект биений различных каналов рассеяния фононов в сегнетоэлектрических кристаллах 96
4.1. Анализ механизмов рассеяния фононов в сегнетоэлектриках 96
4.1.1. Исходное время релаксации 97
4.1.2. Квазиупругое рассеяние фононов 99
4.1.3. Резонансное рассеяние фононов на магнитных примесях 102
4.1.4. Рассеяние фононов на коллоидах 105
4.1.5. Резонансное рассеяние фононов на дефектах 108
4.1.6. Анализ влияния механизмов рассеяния фононов на температурную зависимость теплопроводности сегнетоэлектрических кристаллов 110
4.2. Эффект биений различных каналов рассеяния фононов 117
Заключение 121
Литература

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Трефилова Анна Николаевна
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Угрюмов Роман Борисович
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Соломатин Алексей Сергеевич
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Войт Алексей Петрович
Количество страниц
Год
2005
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3