Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии

Варавин Василий Семенович. Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Новосибирск, 2001.- 145 с.: ил. РГБ ОД, 61 02-1/402-8
Автор
Варавин Василий Семенович
Год
2001

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Морфология гетерограниц и транспорт дырок в сверхрешетках GaAs/AlAs(311)А
99 000 UZS
Автор
Воробьёв Александр Борисович
Количество страниц
Год
2001
Структурная модификация свойств аморфного гидрогенизированного углерода
99 000 UZS
Автор
Воронцов Владимир Анатольевич
Количество страниц
Год
2001
Ионно-лучевой синтез силицидов металлов подгруппы железа в кремнии
99 000 UZS
Автор
Гумаров Габдрауф Габдрашитович
Количество страниц
Год
2001
Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
99 000 UZS
Автор
Синис Валерий Павлович
Количество страниц
Год
2002
Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами.
99 000 UZS
Автор
Фещенко Игорь Сергеевич
Количество страниц
Год
2002
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3