Введение
I. Объекты тонкоплёночной технологии и их моделирование 16
1.1. Вводные замечания 17
1.2. Классификация изделий тонкопленочной технологии 18
1.3. Технологические измерения и макромоделирование для тонкопленочных микросхем 29
1.4. Структурное макромоделирование при анализе точности в системах технологических измерений (ти) параметров тонкопленочных микросхем 34
1.5. Оценка результатов измерений параметров гис в рамках упрощенных моделей 53
1.6. Сравнительный анализ точностных характеристик гис цапи ацп 58
1.7. Особенности видов технологических измерений параметров тонкопленочных имс 66
II. Классификация и исследование электрических параметров компонентов тонкопленочных интегральных микросхем (тис) 73
2.1. Вводные замечания 74
2.2. Тонкопленочный резистор и его подгонка 74
2.3. Влияние физических факторов на параметры тонкопленочной резистивной структуры 83
2.4. Исследование путей повышения точности тонкопленочных микросхем при их разработке и испытаниях 90
2.4.1. Метод оценки сопротивления тонкопленочной резистивной структуры 90
2.4.2 Способы достижения требуемых метрологических характеристик тонкопленочных микросхем типа hp и трп 112
2.4.3. О подгоне тонкопленочных микросхем по двум электрическим параметрам 121
2.4.4. Подгонка сопротивления методом структурирования электрической цепи для тонкопленочных микросхем типа hp 1-53 129
2.5. Методы функциональной подгонки, связанные с алгоритмом работы имс 144
2.6. построение модели экспериментальной интегральной тонкоплёночной микросхемы и её классический анализ на примере гис цап 153
2.7. Инструментальные погрешности тонкоплёночных гис, на примере функционально законченного пап, и построение моделей их описания 169
2.8. Построение моделей исследования инструментальных погрешностей типовых интегральных микросхем цап 427 и 572 серий 184
2.9. Исследование инструментальных погрешностей тонкоплёночных микросхем методом дополнений на примерегисцап 193
2.10. Теоретическое исследование динамических свойств функционально законченного пап 202
2.11. Погрешности тонкопленочного датчика температуры 219
2.14. Выводы 224
III. Методы измерений электрических параметров тис на операциях функциональной подгонки, производственного и лабораторного контроля 226
3.1. Вводные замечания 226
3.2. Основные точностные параметры интегральных тонкопленочных микросхем и пути обеспечения требуемой точности 227
3.2.1 Классификация точностных параметров интегральных тонкопленочных микросхем и пути
обеспечения требуемой точности 227
3.2.2. Критерии линейности цап 231
3.2.3.Синтез моделей фп гис цап (ацп) 240
3.2.4.Оценка степени адекватности моделей фп интегральных цап (ацп) 253
3.3. Выводы 258
IV. Разработка прецизионных средств измерения си электрических параметров тис и пути создания си предельно достижимой точности 258
4.1. Вводные замечания 259
4.2. Средства и методы измерения электрических параметров тонкопленочных микросхем 271
4.3. Классификация гис цап и методы измерения погрешности коэффициента преобразования 270
4.4. Разработка средств измерения (си) статических параметров тонкопленочных гис ацп 288
4.5. Анализ и разработка средств измерения нелинейности (н) и дифференциальной нелинейности (дн) прецизионных ГИС ЦАП 297
4.6. нормирование и измерение основных динамических параметров тонкопленочных гис 322
4.7. Разработка средств измерения параметров тонкопленочных микросхем на базе многозначной образцовой меры 329
4.8. Разработка методов и средств измерений в процессе функциональной подгонки тонкоплёночных микросхем 339
4.9. Разработка методов и средств построения многозначных рабочих образцовых мер калибраторов напряжения для систем измерения параметров имс 358
4.10. Разработка калибраторов напряжения на базе прецизионных тонкопленочных гис цап для систем технологических измерений параметров имс 368
4.11. Результаты и выводы 376
V. Разработка конструкций тис на базе инженерного моделирования новых свойств и внедрение устойчивых методов автоматизированной обработки измерительной информации 378
5.1. Вводные замечания 379
5.2. Обработка результатов технологических измерений параметров тонкопленочных микросхем 379
5.3. Разработка новых конструкций тонкопленочных микросхем на базе эксперементального исследования их метрологических свойств 389
5.4. Основные результаты и выводы 415
Заключение 415
Литература 418
Приложение
