Введение
1. Свойства униполярных кристаллов и тонких пленок 10
1.1. Униполярностъ в сегнетоэлекгрических кристаллах 10
1.2. Самопроизвольная поляризация в тонких сегнетоэлектрических пленках 19
1.3. Выводы. Постановка задач работы 30
2. Методы получения и исследования тонких сегнетоэлектрических пленок ЦТС 32
2.1. Технология получения тонких пленок ЦТС 32
2.2. Технологическая и физико-химическая совместимость тонких слоев и подложки 38
2.3. Выбор составов мишеней для формирования тонких сегнетоэлектрических пленок ЦТС 41
2.4. Методы исследований тонких сегнетоэлектрических пленок 42
2.4.1. Структурные методы исследований 42
2.4.2. Электрофизические методы исследований 45
3. Исследование структуры и электрофизических свойств тонких пленок ЦТС 48
3.1. Структурная характеризация тонких пленок 48
3.2 Электрофизическая характеризация тонких пленок ЦТС 64
3.3. Электрическая модель образования естественной униполярности в сегнетоэлектрической пленке 85
4. Электромеханическая природа самопроизвольной поляризации в тонких сегаетоэлектрических пленках ЦТС 92
4.1. Вклад механических напряжений в униполярность тонких пленок ЦТС 92
4.2. Сравнительный анализ расчетных и экспериментальных концентрационных зависимостей униполярности 102
4.3. Обсуждение полученных результатов 105
Заключение 109
