Введение
1 Методология технологии управляемого синтеза гетерогенных систем : 21
1.1 Многокомпонентные системы и их свойства 21
1.2 Основные методы получения многокомпонентных систем и приборов на их основе 35
1.3 Влияние облучения на свойства многокомпонентных систем 44
1.4 Концепция создания гетерогенных систем с управляемыми свойствами 48
Выводы 53
2 Основы технологии управляемого синтеза многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений ААВ6 54
2.1 Использование метода «горячей стенки» для получения эпитаксиальных пленок сульфида, селенида свинца и твердых растворов на их основе в квазиравновесных условиях 54
2.2 Выбор условий получения эпитаксиальных пленок сульфида свинца и PbS^Se^ высокого структурного совершенства на основе кинетических исследований 58
2.2.1 Кинетическая диаграмма условий конденсации пленок сульфида свинца и твердых растворов PbS^Se^ на диэлектрических подложках из фтористого бария 58
2.2.2 Влияния условий получения на скорость конденсации и структурное совершенство эпитаксиальных пленок сульфида свинца и твердых растворов сульфид-селенид свинца 62
2.3 Зависимость электрофизических свойств многокомпонентных материалов на основе эпитаксиальных пленок сульфида свинца от условий получения 68
2.3.1 Зависимость концентрации ностелей заряда и коэффициента термоЭДС от давления пара серы 68
2.3.2 Влияние температуры подложки на значения коэффициента термоЭДС и тип электропроводности многокомпонентных полупроводниковых материалов 72
2.4 Зависимость состава и электрофизических свойств многокомпонентных систем на основе эпитаксиальных пленок твердых растворов сульфид-селенид свинца от условий получения 73
2.5 Физико-химические закономерности получения многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе эпитаксиальных пленок сульфида свинца и твердых растворов сульфид-селенид свинца с контролируемыми свойствами 82
2.5.1 Расчет термодинамических параметров реакций образования собственных дефектов в многокомпонентных материалах на основе эпитаксиальных пленок PbS и твердых растворов PbS Se 82
2.5.2 Расчет концентраций собственных дефектов, носителей заряда
и инверсных давлений пара халькогена квазихимическим методом 90
2.5.3 Термодинамический расчет условий протекания реакций замещения атомов серы атомами селена 94
2.5.4 Кинетические расчеты процессов самодиффузии в полупроводниковых материалах на основе ААВв 99
Выводы 107
3 Управляемый синтез многокомпонентных проводниковых материалов ... 109
3.1 Получения пленок многокомпонентных проводниковых материалов методом термического испарения в вакууме 109
3.2 Процессы формирования пленок проводниковых многокомпонентных материалов 111
3.3 Влияние условий конденсации пленок многокомпонентных материалов, полученных методом термического испарения в вакууме, на их состав , 145
3.4 Исследование скорости конденсации пленок многокомпонентных материалов 158
3.5 Исследование адгезии пленок к поверхности ситалловой подложки 165
3.6 Моделирование процесса формирования плёнок многокомпонентных проводниковых материалов 172
Выводы 178
4 Управление свойствами многокомпонентных материалов на основе сегнетоэлектрических твердых растворов цирконата-титаната свинца 181
4.1 Влияние состава твердых растворов
цирконата-титаната свинца на их электропроводность 181
4.2 Влияние однократного рентгеновского излучения на электропроводность сегнетоэлектрических твердых растворов на основе цирконата-титаната свинца 186
4.3 Моделирование электропроводности твердых растворов цирконата-титаната свинца 193
4.4 Влияние многократного рентгеновского излучения на электропроводность твердых растворов цирконата-титаната свинца 198
4.5 Влияние рентгеновского излучения на диэлектрические свойства твердых растворов цирконата-титаната свинца 201
Выводы 203
5 Получение пленочных резисторов на основе многокомпонентных проводниковых материалов с управляемыми и стабильными во времени параметрами 205
5.1 Исследование параметров пленочных резисторов на основе хромоникелевых сплавов в процессе хранения . 205
5.2 Влияние защитного слоя на параметры пленочных резисторов с использованием хромоникелевых сплавов в процессе хранения 218
5.3 Управление параметрами пленочных резисторов посредством отжига 224
5.4 Управление параметрами пленочных резисторов за счет облучения рентгеновскими лучами 234
Выводы 247
6 Получение и выходные параметры фотоэлектрических преобразователей на основе сульфида свинца и твердых растворов сульфид-селенид свинца 249
6.1 Выбор материалов омического и выпрямляющего контактов 249
6.2 Получение фотоэлектрических преобразователей на основе эпитаксиальных пленок сульфида свинца и твердых растворов сульфид-селенид свинца 250
6.3 Расчёт зонной диаграммы барьеров Шоттки на основе In-/?-PbS 258
6.4 Исследование вольт-амперных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе р-п- гомопереходов и барьеров Шоттки 260
6.4.1. Исследование вольт-амперных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе р-п -гомопереходов 260
6.4.2 Исследование вольт-амперных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе барьеров Шоттки 271
6.5 Исследование вольт-фарадных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе р-п -гомопереходов и барьеров Шоттки 284
6.5.1 Исследование вольт-фарадных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе р-п -гомопереходов 284
6.5.2 Исследование вольт-фарадных характеристик
фотоэлектрических преобразователей на основе барьеров Шоттки 286
6.6 Исследование фотоэлектрических характеристик р-п-гомопереходов и барьеров Шоттки 287
6.6.1 Исследование фотоэлектрических характеристик р-п -гомопереходов 287
6.6.2 Исследование фотоэлектрических характеристик барьеров Шоттки . 290
6.7 Влияние условий получения на выходные параметры фотоэлектрических преобразователей 292
Выводы 294
7 Методики исследования свойств многокомпонентных материалов и параметров гетерогенных систем 296
7.1 Методика проведения рентгеновского фазового анализа 296
7.2 Методика исследования качественного и количественного состава многокомпонентных систем 297
7.3 Методика измерения коэффициента термоЭДС полупроводниковых многокомпонентных материалов 301
7.4 Методика исследования эффекта Холла полупроводниковых многокомпонентных материалов 302
7.5 Методика исследования электропроводности диэлектрических многокомпонентных материалов . 304
7.6 Методика исследования вольт-амперных характеристик гетерогенных систем 306
7.7 Методика исследования вольт-фарадных характеристик гетерогенных систем 307
7.8 Методика исследование фотоэлектрических характеристик гетерогенных систем 307
7.9 Аппаратное обеспечение автоматизированных исследований свойств многокомпонентных материалов и параметров гетерогенных систем на их основе 309
7.9.1 Автоматизированный лабораторный стенд для исследования проводящих свойств многокомпонентных систем 311
7.9.2 Автоматизированный лабораторный стенд для исследования свойств многокомпонентных полупроводниковых материалов методом эффекта Холла 313
7.9.3 Автоматизированный лабораторный стенд для исследования вольт-амперных характеристик гетерогенных систем 314
7.9.4 Автоматизированный лабораторный стенд для исследования параметров гетерогенных систем методом вольт-фарадных характеристик , 316
Выводы 317
Основные результаты работы 319
Список литературы
