Введение
1. Применение метода внутреннего трения для обнаружения дефектов в полупроводниках. обзор литературы 8
2. Методика эксперимента и изготовления образцов 34
2.1. Установки ВТ, использовавшиеся в работе 34
2.2. Другие методики измерения 45
2.3. Приготовление образцов 46
3. Изучение методом вт фазовых превращений в тонких пленках, полученных испарением компонентов 53
3.1. Оценка возможности наблюдения ВТ в тонких пленках 53
3.2. Наблюдение методом ВТ кристаллизации неконтролируемых включений в Зіз 55
3.3. ВТ в пленочных структурах системы Cu-Se 60
4. ВТ в структурах, выращенных по золь-гель технологии 69
4.1. Этапы получения пленок по золь-гель технологии и возможность применения для ее контроля метода ВТ 69
4.2. Результаты анализа водно-спиртовых включений в Si02-Sn02 73
4.3. ВТ в системе Si02-B203 77
5. Механизм вт, связанный с плавлением включений 82
5.1. Механизм плавления включений материалов, уменьшающихся в объеме при плавлении 82
5.2. ВТ в монокристаллах на основе Ві2Тез 86
Основные Результаты И Выводы 92
Список Используемой Литературы 94
