Введение
Глава 1. Исследование нелокального разогрева электронов в гетероструктурных полевых транзисторах 19
1.1. Поперечный пространственный перенос в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием 22
1.1.1. Описание модели 24
1.1.2. Исследование границ применимости квазигидродинамических моделей в гетерострукутурных полевых транзисторах 29
1.2. Особенности нелокального тепловыделения в мощных гетероструктурных полевых транзисторах 36
1.2.1. Оценка области нелокального тепловыделения в мощных полевых транзисторах 36
1.2.2. Поперечный пространственный перенос электронов и особенности локализации домена сильного поля в гетероструктурных полевых транзисторах
1.3. Особенности нелокального разогрева электронов в полевых транзисторах на основе нитрида галлия 49
1.4. Заключение по главе 1 64
Глава 2. Разработка dphemt транзисторов на основе гетероструктур с локализующими потенциальными барьерами 66
2.1. Предпосылки разработки (da)-dphemt гетероструктур
2.2. Экспериментальные образцы (da)-dphemt транзисторов и результаты измерений их характеристик 76
2.3. Анализ физических механизмов, обеспечивающих улучшение выходных свч характеристик (da)-dphemt транзисторов 88
2.5 . Мощные (da)-dphemt транзисторы, наиболее эффективно работающие при напряжении на затворе равном нулю 95
2.5. Разработка омических контактов истока и стока (da)-dphemt транзисторов 103
2.6. Заключение по главе 2 108
Заключение по
Список литературы
