Введение
1 Современное состояние конструкций и технологии изготовления элементов нелинейной емкости 12
1.1 Анализ элементов нелинейной емкости, управляемой напряжением 12
1.2 Основные параметры нелинейных емкостей 20
1.3 Обзор технологии изготовления полупроводниковых варикапов .27
Выводы 45
2 Решение уравнения Пуассона и расчет основных статических характеристик варикапа со ступенчато-градиентным профилем распределения примеси 47
2.1 Решение уравнения Пуассона для ступенчато-градиентного профиля распределения примеси в базе варикапа 47
2.2 Расчет основных статических характеристик варикапа со ступенчато — градиентным профилем распределения примеси 52
2.3 Оптимизация профилей легирующей примеси 54
Выводы 60
3. Технология изготовления полупроводниковой структуры со ступенчато-градиентным профилем распределения примеси 62
3.1 Расчет технологических режимов изготовления варикапа методом диффузии 62
3.2 Расчет технологических режимов изготовления варикапа методом ионной имплантации 67
3.3 Расчет технологических режимов молекулярно-лучевой эпитаксии.72
Выводы 77
4 Моделирование варикапа со сверхрезким р-п - переходом в системе сквозного моделирования полупроводниковых приборов ISE TCAD Release 7.0 78
4.1 Методика проведения моделирования в программном пакете ISE TCAD Release 7.0 78
4.2 Моделирование технологии изготовления варикапа с помощью интерактивного компоновщика двумерных структур MDRAW 82
4.3 Моделирование технологии изготовления варикапа в программе DIOS 84
4.4 Описание моделирования статических характеристик структуры в программе DESSIS 86
4 4,5 Описание моделирования статических характеристик полученной структуры в программе DESSIS 92
Выводы 95
Заключение 96
Список использованных источников 97
Приложение А 106
Приложение Б 107
Приложение В 109
Приложение Г 120
