Введение
Глава 1. Фотоэмиссия электронов из полупроводников с отрицательным электронным сродством 12
1.1. Фотоэмиссия электронов из GaAs(Cs,0) 12
1.2. Фотоэмиссия электронов из GaN(Cs,0) 29
1.3. Постановка задачи 43
Глава 2. Методика исследования фотоэмиссии электронов из полупроводника с отрицательным электронным сродством 45
2.1. Приготовление и консервация фотокатодов с отрицательным электронным сродством 45
2.2. Принципы измерений и описание измерительного стенда 53
2.3. Методика измерения спектров квантовой эффективности 60
2.4. Методика измерения энергетических распределений эмитированных электронов 62
Глава 3. Исследование фотоэмиссии электронов из поверхностных состояний границы раздела p+-GaAs(Cs,0)-BaKyyM 67
3.1. Проявление вклада электронов, эмитированных из поверхностных состояний, в спектре квантовой эффективности 67
3.2. Механизмы формирования спектра квантовой эффективности фотоэмиссии электронов из поверхностных состояний 77
3.3. Влияние эффекта Шоттки на спектр квантовой эффективности фотоэмиссии электронов из поверхностных состояний 84
Результаты и выводы главы 3 90
Глава 4. Исследование фотоэмиссии электронов из p-GaN(Cs,0) 91
4.1. Эмиссия электронов из состояний запрещённой зоны p-GaN(Cs,0) .91
4.2. Эмиссия электронов из состояний валентной зоны p-GaN(Cs,0) 102
4.3. Энергетическая диаграмма границы раздела p-GaN(Cs,0)-BaKyyM 108
Результаты и выводы главы 4 113
Заключение. Основные результаты и выводы 114
Литература 116
