Введение
Глава 1. Морфология и фотоэлектронные спектры гетеронаноструктур с квантовыми точками InAs/GaAs (Обзор литературы) 11
1.1. Получение КРС с квантовыми точками In(Ga)As/GaAs 11
1.2. Влияние некоторых условий ГФЭ МОС на морфологию КТ 13
1.3. Влияние на морфологию массива КТ его заращивания покровным слоем 21
1.4. Влияние толщины покровного слоя GaAs на энергетический спектр КТ 23
1.5. Влияние толщины и состава двойного покровного слоя GaAs/InGaAs на энергетический спектр КТ 28
1.6. Морфология и фотоэлектронные спектры КРС с КТ InAs/GaAs, выращенных ГФЭ МОС АДВ 31
Глава 2. Влияние некоторых условий выращивания слоев квантовых точек InAs/GaAs на их морфологию и фотоэлектронные свойства 35
2.1. Методика эксперимента 35
2.1.1. Исследованные структуры. Методика выращивания 35
2.1.2. Диагностика энергетического спектра КРС 39
2.1.3. Атомно-силовая микроскопия КРС , 43
2.2. Влияние легирования слоев КТ висмутом в процессе роста на морфологию массива КТ . 44
2.2.1. Нелегированные структуры 45
2.2.2. Структуры, легированные висмутом , 49
2.2.3. О связи фотоэлектронных спектров с морфологией слоев КТ 52
2.3. Влияние заращивания слоя КТ InAs покровным слоем GaAs на морфологию и фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур 58
2.4. Влияние паров ССЦ при выращивании слоев КТ InAs/GaAs на их морфологию и фотоэлектронные свойства 65
ГЛАВА 3. Разработка методики исследования морфологии скрытых слоев КТ InAs/GaAs методом асм в комбинации с селективным химическим травлением 75
3.1. Эволюция морфологии поверхности селективного травления ГКТ. Визуализация слоя КТ 76
3.1.1. Особенности морфологии поверхности травления однородного слоя GaAs 77
3.1.2. Эволюция морфологии поверхности травления ГКТ при ступенчатом стравливании покровного слоя 77
3.1.3. Морфология скрытого слоя КТ, выявленного с помощью селективного травления 83
3.2. Мониторинг in situ процесса селективного травления ГКТ методами фотолюминесцентной и фотоэлектрической спектроскопии 84
3.2.1. Мониторинг методом спектроскопии ФЛ 85
3.2.2. Мониторинг методом спектроскопии ФПЭ 87
Глава 4. Влияние электрохимической модификации покровного слоя gaas и слоя КТ InAs/GaAs на морфологию и фотоэлектронные спектры КТ 94
4.1. Эволюция спектров ФПЭ ГКТ при ступенчатом селективном травлении покровного слоя 94
4.2. Модификация ПКТ путем селективного травления 96
4.2.1, Эволюция морфологии ПКТ при травлении 98
4.2.2. Эволюция фотоэлектронных спектров ПКТ при травлении 101
4.3. Влияние анодного окисления покровного слоя и ПКТ на энергетический спектр КТ 103
Заключение 108
Список публикаций по теме диссертации 112
Цитируемая литература 116
