Введение
Глава 1. Обзор литературы и постановка задачи 10
.1.1. Эффект низкой интенсивности излучения 10
1.2. Эффект старения 17
1.3. Недостатки существующих методов моделирования эффектов низкой интенсивности и старения 21
Постановка задачи 22
Глава 2. Использование инфракрасного излучения для моделирования эффекта низкой интенсивности в биполярных транзисторах 25
2.1. Методика проведения экспериментов 25
2.2. Источник инфракрасного излучения 28
2.3. Технические средства проведения экспериментов 29
2.4. Исследование характеристик биполярных PNP транзисторов после воздействия инфракрасного излучения 31
2.5. Исследование характеристик биполярных NPN транзисторов после воздействия инфракрасного излучения 35
2.6. Исследование зависимости радиационной деградации биполярных PNP транзисторов с ЭПИК изоляцией от режима инфракрасного предоблучения 40
2.7. Исследование зависимости радиационной деградации биполярных NPN транзисторов от режима инфракрасного предоблучения 44
2.8. Моделирование эффекта низкой интенсивности в биполярных ИМС при помощи инфракрасного излучения 50
2.9. Физическая модель изменения радиационной деградации биполярных транзисторов вследствие инфракрасного предоблучения 55
Выводы 66
Глава 3. Использование инфракрасного излучения вместо повышенной температуры для моделирования эффекта старения в биполярных ИМС 68
3.1. Сравнение моделирования эффекта старения при термическом воздействие и инфракрасном предоблучении для биполярных PNP транзисторов с ЭПИК изоляцией 68
3.2. Сравнение методов моделирования эффекта старения в биполярных NPN транзисторах с SiC изоляцией 73
Выводы 75
Глава 4. Инфракрасный отжиг радиационных дефектов в биполярных ИМС 76
4.1. Методика проведения экспериментов 76
4.2. Инфракрасный отжиг радиационных дефектов в биполярных PNP транзисторах 77
4.3. Инфракрасный отжиг радиационных дефектов в биполярных NPN транзисторах 80
4.4. Исследование «насыщения» инфракрасного отжига 83
4.5. Сравнение инфракрасного и термического отжига радиационных дефектов в биполярных транзисторах 85
Выводы 88
Глава 5. Исследование температурной стабильности системы нейтральных и дипольных е центров, возникшей в биполярных имс вследствие инфракрасного предоблучения 89
5.1. Выбор методики проведения эксперимента 89
5.2. Исследование воздействия повышенной температуры на радиационную деградацию биполярных PNP транзисторов с ЭПИК изоляцией, подвергшихся инфракрасному предоблучению 91
5.3. Исследование температурной стабильности системы нейтральных и дипольных Е центров в биполярных NPN транзисторах с SiC>2 изоляцией 96
5.4. Оценка энергии перехода Е центров между разными энергетическими конфигурациями при отсутствии напряжения смещения перехода эмиттер-база 100
Выводы 101
Заключение 102
Список литературы
