Введение
1. Проблема деградации полупроводников под действием ионизирующего излучения и подходы к ее решению. аналитический обзор 9
1.1. Классификация радиационно-стимулированных процессов в твердых телах 9
1.2. Взаимодействие излучения с твердым телом (на примере электронного пучка допороговых энергий) 11
1.3. Неравновесная проводимость в широкозонных полупроводниках 13
1.4. Дефекты, их образование и аннигиляция в ходе облучения
1.4.1. Дефекты в полупроводниках 14
1.4.2. Основные концепции радиационного дефектообразования 16
1.4.3. Упругие механизмы радиационного дефектообразования 18
1.4.4. Неупругие механизмы дефектообразования 19
1.4.5. Скорость генерации и аннигиляции (рекомбинации) дефектов в широкозонных кристаллах под действием свободных носителей заряда
1.5. Фотохимические реакции 24
1.6. Радиационно-стимулированная диффузия 25
1.7. Стимулированная аннигиляция (радиационный отжиг) дефектов 29
1.8. Экспериментально наблюдаемая деградации соединений А2 В6 под действием облучения. Эффект малых доз 30
1.9. Методы увеличения радиационной стойкости полупроводников. Гетеро-фазный фотопроводник CdS-PbS
1.9.1. Методы увеличения радиационной стойкости полупроводников 36
1.9.2. Гетерофазная фотопроводящая система типа CdS-PbS 39
1.10. Выводы к главе 1 40
2. Движение точечных дефектов в гетерофазном полупроводнике в условиях облучения 43
2.1. Радиационно-стимулированная диффузия в широкозонной и узкозонной фазах системы А2В6-А4В6 (на примере системы CdS-PbS) 43
2.2. Постановка задачи о движении точечных дефектов в гетерофазном материале
2.2.1. Уравнение движения дефектов 45
2.2.2. Начальные условия з
2.2.3. Поток дефектов на границе областей с различными коэффициентами диффузии. Условия "сшивания". Геттерирование дефектов узкозонными включениями 45
2.2.4. Граничные условия 48
2.2.5. Формулировка краевой задачи 48
2.3. Основные приближения и упрощающие модели 50
2.3.1. Стационарное состояние. Отсутствие аннигиляции дефектов. Отсутствие дрейфа 50
2.3.2. Кусочно-постоянный коэффициент диффузии 51
2.3.3. Одномерная слоистая гетерофазная система 52
2.3.4. Сферически симметричный случай 54
2.3.5. Приближение малой концентрации на границе 54
2.3.6. Дрейф под действием электрического поля гетероперехода 2.4. Модель деградации фотопроводника в результате образования точечных дефектов 61
2.5. Возможность сведения системы уравнений для дефектов двух типов к одному уравнению 63
2.6. Средние концентрация и скорость генерации дефектов в гетерофазной среде 65
2.7. Выводы к главе 2 67
3. Модель радиационной стойкости гетерофазной фото проводящей системы. случай нейтральных дефектов 68
3.1. Стационарные состояния гетерофазной системы в условиях облучения 68
3.1.1. Отсутствие аннигиляции дефектов 68
3.1.2. Прямая аннигиляция дефектов 73
3.2. Нестационарные состояния гетерофазной системы в условиях облучения 79
3.2.1. Отсутствие аннигиляции дефектов: слоистая гетерофазная система 79
3.2.2. Прямая аннигиляция дефектов. Численное решение 83
3.3. Выводы к главе 3 89
4. Модель радиационной стойкости гетерофазной фото нроводящей системы. случай заряженных дефектов 91
4.1. Стационарные состояния гетерофазной системы в условиях облучения 91
4.1.1. Отсутствие аннигиляции дефектов 91
4.1.2. Прямая аннигиляция дефектов 98
4.2. Нестационарные состояния гетерофазной системы в условиях облучения. Численное решение 101
4.3. Выводы к главе 4 105
Заключение 106
Список литературы
