Введение
Глава 1. Особенности образования тонких металлических пленок и методики приготовления пленочных образцов. (Обзор литературы) 9
1.1. Введение. 9
1.2. Основные понятия роста тонких пленок . 13
1.2.1. Классическая модель однородного зародышеобразования. 17
1.2.2. Модель, основанная на уравнениях для скорости атомов. 18
1.2.3. Основные процессы роста тонких пленок, 24
1.2.4. Поверхностная диффузия. 35
1.3. Методы осаждения тонких пленок . 41
1.3.1. ФОПпроцессы. 41
1.3.2. ХОР процессы. 49
1.4. Приготовление исследуемых образцов тонких пленок серебра и методика
их исследования. 52
Глава 2. Рост тонких металлических пленок в начальной стадии под действием потока частиц . 57
2.1. Введение. 57
2.2. Основные уравнения модели . 59
2.3. Анализ результатов модели. 62
2.4. Выводы к главе 2. 67
Глава 3. Образование дефектов и распределение кристаллитов в пленках серебра при облучении их ионами гелия . 68
3.1. Введение. 68
3.2. Особенности получения облученных ионами гелия образцов тонких серебряных пленок. 69
3.3. Распределение кристаллитов по размерам в облученных ионами гелия образцах тонких пленок серебра . 71
3.4. Морфология облученных пленок серебра. 75
3.5. Выводы к главе 3. 78
Глава 4 Кинетическая модель радиационно-индуцированного изменения микроструктуры металлических пленок . 80
4.1. Введение. 80
4.2. Экспериментально установленное изменение структуры пленок серебра, облучаемых ионами гелия. 84
4.3. Феноменологическая модель, описывающая вымирание гексагональной фазы в пленках серебра под действием облучения ионами гелия. 88
4.4. Выводы к главе 4. 94
Заключение. 95
Литература. 97
