Введение
ГЛАВА 1. Изменение работы выхода полупроводниковых подложек при адсорбции металлических атомов 10
1.1. Работа выхода как основная макроскопическая характеристика адсорбционной системы 10
1.2. Взаимодействие атомов в адсорбированных слоях и его влияние на работу выхода 20
1.2. Кристаллографическая и электронная структуры чистых граней кремния, арсенида галлия и диоксида титана 24
1.4. Постановка задачи 43
ГЛАВА 2. Адсорбция атомов щелочных металлов на кремнии и арсениде галлия 44
2.1. Формулировка модели 44
2.2. Адсорбция Li,Na,K,RbHCsHaSi(100) 49
2.3. Адсорбция Cs на GaAs (100) и К, RbnCs HaGaAs(llO).. 62
Краткие выводы 70
ГЛАВА 3. Адсорбция бария и редкоземельных атомов на кремнии и ванадия на диоксиде титана 72
3.1. Адсорбция Ва на Si(lll) 72
3.2. Адсорбция Sm, Ей и Yb на Si(lll) 78
3.3. Адсорбция V на ТЮ2(110) 84
Краткие выводы 90
ГЛАВА 4. Зависимость зарядов, сдвигов квазиуровней адатомов и времен жизни электрона на адатоме от степени покрытия. Энергетические барьеры для переходов электронов с адатома в подложку и на соседний адатом (обзор результатов Гл. 2 и 3) 93
4.1. Зависимость заряда адатома от степени покрытия 93
4.2. Зависимости сдвигов квазиуровней адатомов и времен жизни электрона на адатоме от степени покрытия 100
4.3. Оценки высоты энергетических барьеров для перехода электрона с адатома в подложку и на соседний адатом 103
ГЛАВА 5. Некоторые вопросы физики субмонослойных металлических покрытий на полупроводниковых субстратах 111
5.1. Об условиях появления минимума на зависимости работы выхода от степени покрытия 111
5.2 Влияние температуры на адсорбцию редкоземельных атомов на поверхностиSi(111) 112
5.3 Связь электронного состояния субмонослойной металлической пленки с высотой барьера Шоттки и величиной изгиба зон 115
5.4. Заряд изолированного адатома в рамках модели связывающих орбиталей Харрисона 119
Заключение 122
Список литературы 126
