Расчет энергетических характеристик гетероструктур и барьеров Шоттки, сформированных на политипах карбида кремния

Посредник Олеся Валерьевна. Расчет энергетических характеристик гетероструктур и барьеров Шоттки, сформированных на политипах карбида кремния : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Санкт-Петербург, 2005.- 134 с.: ил. РГБ ОД, 61 05-1/1341
Автор
Посредник Олеся Валерьевна
Год
2005
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
ГЛАВА 1. Состояние исследований барьеров шоттки на контакте металл-политип SIC и гетеропереходов между различными политипами SiC 12
1.1 .Политипизм SiC 12
1.2.Теоретические модели электронной структуры контакта металл - полупроводник 21
1.2.1. Барьер Шоттки 21
1.2.2. Барьер Мотта-Бардина 25
1.2.3. Модели Хейне и Терсоффа 26
1.2.4. Бездефектная модель Мёнха 27
1.2.5. Модель Людеке с дефектом 29
1.2.6. Модель Халдейна-Андерсона 30
1.3. Сводка экспериментальных значений по барьерам Шоттки 31
1.4.Гетеропереходы на основании различных политипов карбида кремния... 35
1.4.1. Модель разрыва зон Шокли — Андерсона 36
1.4.2. Современные модели гетеропереходов 40
1.4.3. Гетероструктуры на основе политипов SiC 43
І.З.Постановка задачи 45
ГЛАВА 2. Энергетические характеристики гетероструктур, образованных кубическим и гексагональными политипами карбида кремния 47
2.1. Оценки энергетических характеристик гетеропереходов 3C-SiC/2H, 4Н, 6Н и 8Н-8ІС 47
2.2. Энергетические уровни в квантовых ямах, образующихся на контактах кубического и гексагональных политипов (самосогласованный подход) 54
2.3. Характеристики спектров излучения квантовых ям, образующихся на гетеропереходах между политипами SiC 58
Краткие выводы по главе. 68
ГЛАВА 3. Барьер шоттки в системе ME~SiC 69
3.1. Модифицированная модель Людеке. Обоснование выбора модели. Выбор
параметров модели 69
3.1.1. Элементарный вывод выражения для числа заполнения дефектного состояния 70
3.1.2. Общие свойства модифицированной модели Людеке 74
3.1.3. Определение энергетических параметров модели для карбида кремния 75
3.2. Природа дефектных состояний в контактах хрома с политипами карбида кремния 77
3.3. Самосогласованный анализ высоты барьеров Шоттки 79
9 Краткие выводы по главе 90
ГЛАВА 4. Доминирующая роль кремниевых вакансий в формировании зависимости высоты барьера шоттки от степени гексогональности карбида кремния 91
4.1. Методы расчета электронной структуры вакансий 91
4.2. Оценки расположения дефектных уровней в запрещенной зоне методом сильной связи 95
4.3. Сравнительная роль кремниевых и углеродных вакансий 96
4.4. Зависимость положения локального уровня вакансии в запрещенной зоне SiC от политипа 101
Краткие выводы по главе 114
Заключение 115
Основные результаты работы 118
Список литературы 120

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Принц Виктор Яковлевич
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Радчук Наталия Борисовна
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Ромашин Сергей Николаевич
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Рудь Василий Юрьевич
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Седов Александр Викторович
Количество страниц
Год
2005
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3