Введение
1 Обзор литературы.
1.2. Зонная структура германия и кремния 13
1.2. Теория примесных центров в полупроводниках 15
1.3. Поведение примесей халькогенов в германии 22
1.4. Возбужденные состояния халькогенов в германии 29
1.5. Твердые растворы Gei x Six 36
1.6. Влияние глубоких примесей на процессы в р-n переходах 39
2. Методика эксперимента и технология изготовления образцов.
2.1. Оптические методы исследования - основные положения 44
2.2. Установка для оптических измерений 46
2.3. Установка для измерения эффекта Холла 50
2.4. Установка для определения времени жизни в полупроводниках 53
2.5. Установка для регистрации вольтамперных характеристик 55
2.6. Технология получения материалов с заданными свойствами и изготовление образцов 58
2.7. Источники погрешностей при записи оптических спектров 62
3. Экспериментальные результаты и их обсуждение.
3.1. Исследование образцов германия методом эффекта Холла 65
3.2. Фотопроводимость германия легированного Те, Se, S 69
3.3. Фотопроводимость твердых растворов Gei x Six с примесями ТеиЗе 84
3.4. Электрические свойства германиевых p-i-n - структур с примесями халькогенов 89
3.5. Исследование релаксационных свойств p-i-n - диодов Ge:Se 97
3.6. Примесная фотопроводимость в германиевых p-i-n — диодах с примесями Те, Se, S 102
3.7. Обсуждение экспериментальных результатов 111
Заключение 126
