Введение
Глава 1. Радиационное облучение кремния 10
1.1. Дефектообразование в облученном кремнии 10
1.2. Разупорядоченные области в кремнии 17
1.3. Облучение кремния протонами и альфа-частицами 21
1.4. Влияние интенсивности облучения и температуры на процессы радиационного дефектообразования 25
1.5. Изменение параметров полупроводниковых приборов под воздействием радиационного облучения 26
1.6. Радиационное легирование кремния 28
1.7. Выводы 30
Глава 2. Аморфизация поверхности кремния под воздействием облучения альфа-частицами высоких энергий 31
2.1. Методика проведения облучения 31
2.2. Исследование аморфизации поверхности кремния методом комбинационного рассеяния света 31
2.3. Измерение времени жизни методом поверхностной фото-ЭДС 36
2.4. Эксперименты по измерению времени жизни на кремнии 43
2.5. Изменение времени жизни носителей заряда в кремнии под воздействием облучения альфа-частицами 43
2.6. Выводы 51
Глава 3. Изменение емкостных характеристрж структур металл-полупроводник после облучения альфа-частицами 53
3.1. Методика и погрешности измерения распределения концентрации дефектов вблизи контакта металл-полупроводник 53
3.2. Изменение распределения концентраций центров рекомбинации при облучении 61
3.3. Теоретическая модель изменения концентрации центров рекомбинации в облученном кремнии с учетом диффузии дефектов 67
3.4. Выводы 75
Глава 4. Определение параметров глубоких центров методом термостимулированной емкости 76
4.1. Методика измерения термостимулированной емкости 76
4.2. Термостимулированная генерация с глубоких уровней ОПЗ вр-и-переходах 78
4.3. Вычисление параметров глубоких уровней с учетом температурных зависимостей коэффициентов захвата электронов 81
4.4. Модель распада комплексов 86
4.5. Выводы 93
Глава 5. Вольт-амперные характеристики облученных образцов 94
5.1. Модели переноса заряда в облученных структурах. Применение метода рекомбинационной спектроскопии для определения параметров глубоких уровней : 94
5.2. Методика измерения вольт-амперных характеристик 98
5.3. Двойные поверхностно-барьерные диоды Шоттки на основе кремния 98
5.4. Выводы 113
Заключение ..114
Список литературы 117
