Введение
Глава 1. Гетеропереходы II типа в системе GaSb-InAs. Светодиоды и фотодиоды для среднего ИК диапазона на их основе 11
Глава 2. Методика эксперимента 49
2.1. Предварительные замечания 49
2.2. Выбор гетероструктур для создания светодиодов и фотоприемников в средней ИК области 50
2.3. Выбор конструкции светодиодов и фотодиодов для средней ИК области 54
Глава 3. Мощные светодиоды для спектрального диапазона 1.6-2.4 мкм на основе гетеропереходов II типа в системе GaSb/GalnAsSb (Xi„<28%) 66
Глава 4. Новый подход к созданию высокоэффективных светодиодов для спектрального диапазона 3.4-4.4 мкм на основе твердых растворов InGaAsSb (Xi„>80%), изопериодных к подложке GaSb 108
Глава 5. Создание и исследование фотодиодов для спектрального диапазона 1.5-4.8 мкм, на основе разъединенных гетеропереходов в системе GaSbflnGaAsSb, работающих при комнатной температуре 133
Приложение. Применение светодиодов и фотодиодов спектрального диапазона 1.6-4.8 мкм для газоанализа и медицинской диагностики
Заключение 158
Список литературы 164
