Введение
1. Аморфный кремний и карбид кремния 12
1.1. Структура, электронное строение и свойства пленок a-Si:H и а- SiC:H 12
1.2. Получение a-Si:H и сплавов на его основе 40
1.3. Локальная плотность электронных состояний и методы рентгеновской спектроскопии при анализе особенностей электронной структуры неупорядоченных систем 48
1.4. Результаты исследований методом УМРС электронного строения пленок a-Si и его сплавов 57
2. Методика и объекты исследования 66
2.1. Описание объектов исследования. Методы получения образцов 66
2.2. Методика получения рентгеновских эмиссионных спектров 71
2.3. Методика обработки рентгеновских спектров 77
2.4. Методика фазового анализа по рентгеновским эмиссионным спектрам с использованием математического моделирования 79
2.5. Методика получения спектров ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения (XAKES) 81
3. Результаты экспериментальных исследований локальной электронной плотности валентных и локализованных состояний аморфного гидрированного кремния, полученного методом MASD 86
3.1. Влияние температуры подложки и (SiH2)n - включений на плотность электронных состояний в a-Si:H 89
3.2. Влияние эффекта псевдолегирования на энергетический спектр электронов в пленках a-Si:H, содержащих нанокристаллы Si 92
4. Влияние условий получения на локальную электронную структуру и состав пленок a-SiC:H 97
4.1. Исследование особенностей электронного строения валентной зоны и "хвоста" локализованных состояний пленок аморфного карбида кремния, полученных распылением стехиометрической мишени SiC 98
4.2. Электронное строение и состав пленок a-SiC, полученных химическим осаждением из газовой фазы метил сил ана при различных условиях 109
4.3. Исследования локальной электронной и атомной структуры в аморфных сплавах a-SixCi.x:H, полученных осаждением из газовой фазы в тлеющем разряде (PECVD) 113
Заключение 122
