Введение
1. Обзор литературы 9
1.1. Теоретические основы концепции метаморфного выращивания 9
1.2. Прикладные основы концепции метаморфного выращивания 20
2. Эксперимент 35
2.1. Метод молекулярно-пучковоп эпитакспи 35
2.2, Методы исследования эпнтаксиальных структур 43
3. Выращивание метаморфных структур InxAlYGa|.x-YAs/GaAs 66
3.1. Различный дизайн переходного буферного слоя 67
3.2. Переходный буферный слой с постоянным профилем состава 68
3.3. Переходный буферный слой со ступенчато-градиентным изменением состава. 78
3.4. Переходный буферный слой с линейпо-градпентным изменением состава 80
3.5. Выводы 84
4. Оптические и электрические свойства метаморфных структур 86
4.1, Оптические свойства метаморфных гетсроструктур 86
4.2, Электрические свойства метаморфных слоев In(Ga)(AI)As 93
4.3, Выводы 95
5. Метаморфные структуры для приборных применений 96
5.1. Разработка и создание модулировапио-легироваппых гетсроструктур с высокой подвижностью 96
5.2. Применение метаморфного подхода для создания лазерного диода с длиной волны излучения диапазона 1.3 мкм. 106
5.3. Выводы 115
Заключение 117
Список цитируемой литературы 122
