Введение
Глава 1. Состояние вопроса и постановка задачи исследования 12
1.1. Включения в монокристаллических матрицах. Механизмы их возникновения и влияние на электрофизические свойства полупроводниковых структур 12
1.2. Транспорт включений во внешних возмущающих полях ... 15
1.3. Особенности транспортных процессов в электрическом поле 19
1.3.1. Электроперенос компонентов в монокристаллической матрице и в объеме включения
1.3.2. Роль термоэлектрических параметров при вытеснении включений вторых фаз из объема монокристаллической матрицы 25
1.4. Термоэлектрические свойства полупроводниковых материалов и межфазных границ бинарных систем 29
Выводы 34
Глава 2. Массоперенос примеси в монокристаллических полупроводниках с участием жидкой фазы 35
2.1. Методические особенности экспериментального исследования миграции расплавленных включений в полупроводниковых системах (GaSb-Sn, Ag-Te и Al-Si) 35
2.1.1. Выращивание монокристаллов теллура 36
2.1.2. Подготовка образцов и методы нанесения примеси, участвующей в формировании включений вторых фаз 39
2.1.3. Высокотемпературный отжиг в постоянном и импульсном электрическом поле 43
2.1.4. Методы оценки размеров мигрирующих включений и глубины их проникновения 45
2.2. Миграция расплавленных включений в постоянном электрическом поле 49
Система Al-Si 50
Система GaSb-Sn 52
2.3. Влияние осевого температурного градиента на электромиграцию расплавленных включений 57
2.4. Роль импульсного токового воздействия на тепловые и транспортные процессы в полупроводниках 64
2.4.1. Электромиграция жидких включений на основе алюминия в монокристаллах кремния при импульсном электрическом воздействии 65
2.4.2. Тепловой режим слоев металлизации на кремнии при импульсном токовом воздействии
2.4.2.1. Изготовление тестовых структур 69
2.4.2.2. Программно-аппаратный комплекс для исследования системы металлизации Al-Si при импульсном токовом воздействии 70
Глава 3. Термоэлектрические свойства сплавов полупроводник- металл 79
3.1. Температурные измерения абсолютной термо-эдс сплавов 79
3.1.1. Методическое обеспечение эксперимента 80
3.1.1.1. Подготовка материалов 81
3.1.1.2. Программно-аппаратный комплекс для исследования температурных зависимостей коэффициента Зеебека 84
3.1.1.3. Влияние скорости нагрева на точность измерения абсолютной термо-эдс исследуемых систем (на примере теллура) 88
3.1.2. Система GaSb-Sn 90
3.1.3. Система Ag-Te 93
3.1.4. Система In-Te 100
3.1.5. Система Bi-Te 103
3.2. Определение коэффициента Пельтье межфазного перехода твердая фаза-расплав по динамике кристаллизации расплава в электрическом поле 112
3.2.1. Подготовка образцов и настройка измерительной установки 114
3.2.2. Изменение коэффициента Пельтье межфазного перехода твердая фаза-расплав при введении металлической примеси в полупроводниковую матрицу 117
Выводы 121
Литература 123
