Введение
1. Физико-технологические исследования полупроводников с решеткой халькопирита 22
1.1 Введение 22
1.2 Физические свойства монокристаллов ZnGeP2, полученных из растворов-расплавов 22
1.3 Рекордная подвижность электронов в кристаллах CdGeAs2, полученных из растворов-расплавов . 25
1.4 Твердофазный синтез полупроводников AirGeCV2 29
1.4.1 Электронные свойства кристаллов CdGeAs2 и гетеростуктуры из них .29
1.4.2 Электронные свойства кристаллов ZnGeP2 и гетероструктуры из них 31
1.5 Эффекты переноса в ориентированных монокристаллах AirBlvCv2 35
1.5.1 Обнаружение анизотропии холловской подвижности дырок в монокристаллах p-CdSiAs2- 36
1.5.2 Кинетические явления в ориентированных монокристаллах p-ZnGeP2 38
1.5.3 Анизотропия переноса носителей заряда в монокристаллах CdGeAs2 41
1.6 Модификация поверхности кристаллов тройных полупроводников 44
1.6.1 Видимая фотолюминесценция анализированных слоев тройных соединений 44
1.6.2 Фотолюминесценция пассивированных слоев соединений А1ГВ CV; и AB"CV2, 48
1.7 Выводы 50
2. Естественный фотоплеохроизм структур па полупроводниках AB1VCV2 .
2.1. Введение 54
2.2. Естественная оптическая анизотропия легированных монокристаллов CdSiAs2 и структур из них 55
2.2.1. Электрические и люминесцентные свойства кристаллов CdSiAs2 55
2.2.2. Электрические и люминесцентные свойства кристаллов CdSiAs2 58
2.2.3. Поляризация донорно-акцепторной фотолюминесценции в кристаллах CdSiAs2 .60
2.2.4. Естественый фото плеохроизм гете ростру ктур из легированных кристаллов CdSiAs2 .64
2.2.5. Фото чувствительность ячеек H20/p-CdSiAs2 65
2.3. Естественная оптическая анизотропия гомопереходов из CdSiAs2 67
2.3.1. Конверсия типа проводимости и люминесцентные свойства слоев п-типа 68
2.3.2. Создание и фотоэлектрические свойства n-p-CdSLAs2 74
2.3.3. Естественный фотоплеохроизм гомопереходов из CdSiAs2 79
2.4. Обнаружение топкой структуры в спектрах фоточувствительности n-p-CdSiAs2 80
2.4.1. Фоточувствительность гомопереходов в неполяризованном излучении 81
2.4.2. Поляризационное расщепление спектров фоточувствительности n-p-CdSLAs2 - .84
2.5. Явление компенсации фотоплеохроизма . . . 86
2.5.1. Компенсация естественного фотоплеохроизма в гетероструктурах n-In203/p-CdSiAs2 , 88
2.5.2. Компенсация естественного фотоплеохроизма в гетероструктурах n-Sn02/p-CdGeP2 92
2.6. Явление усиления естественного фотоплеохроизма в структурах n-p-CdSiAs2/n-In203 94
2.7. Естественный фотоплеохроизм барьеров Шотки In/CdGeAs2 98
2.8. Выводы 100
3. Естественный фотоплеохроизм в структурах на основе монокристаллов АВ11С
3.1. Введение . 106
3.2. Естественный фотоплеохроизм диодных структур на монокристаллах CuInSe2 .- 106
3.3. Оптические свойства монокристаллов CuIno.^Ga^osSe^ и барьеров Шоттки из них 112
3.4. Фотоэлектрические свойства барьеров Шоттки In/CuGaS2. 115
3.5. Фотовольтаический эффект в барьеров Шоттки Iii/AgGaS2. 118
3.6. Фоточувствительность структур на основе CuAlSez 123
3.7. Фотоэлектрические свойства гетероконтактов inSe/CuAlS2 .125
3.8. Выводы 128
4. Создание и фотоэлектрические свойства тонкопленочных структур на тройных полупроводниках .
4.1. Введение 133
4.2. Фоточувствительность структур из лазерно-осаждеиных пленок соединений АвшСМ2 И ИХ твердых растворов . 133
4.3. Фоточувствительность ячеек тонкая пленка Си1п8е2/электролит 140
4.4. Фотоэлектрохимические ячейки на стеклообразных полупроводниках A1!B1VCV2 142
4.5. Фотопроводимость тонких пленок CuInSe2 145
4.6. Поляризационная фоточувствительность тонкопленочных гетероструктур CdS/CulnSe2. 147
4.7. Наведенный фотоплеохроизм тон ко пленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 151
4.8. Фотопреобразоаание в гетероструктурах In203/CdS/CuInSe2 157
4.9. Наведенный фотоплеохроизм структур, полученных термообработкой CuInSe2 в
различных средах 160
4.10. Выводы 166
5. Исследования поляризационной фоточувствительности барьеров Шоттки на полупроводниках А В .
5.1. Введение 171
5.2. Широкополосный наведенный фотоплеохроизм поверхностно-барьерных структур 172
5.2.1. Поляриметрический эффект в структурах Au/монокристалл GaAs 172
5.2.2. Поляриметрические свойства БШ металл/эпитаксиальпый слой GaAs 174
5.2.3. Поляризационная фоточувствительность БШ на объемных кристаллах GaP 176
5.2.4. Фотоплеохроизм эпитаксиальных GaP структур с БШ. 178
5.2.5. Фотоплеохроизм p-n-GaP структур 579
5.2.6. Поляризационная фоточувствительность варизонных структур на эпитаксиальных слоях твердых растворов AINBV 181
5.3. Селективный наведенный фотоплеохроизм барьеров Шоттки 183
5.3.1. Узкополосная поляризационная фоточувствительность структур Au/n-GaAs 184
5.3.2. Селективный поляриметрический эффект барьеров Шоттки Au/n-GaAso.3Po.7 1S5
5.4. Усиление наведенного фотоплеохроизма в структурах с барьером Шоттки 187
5.4.1. Фотоплеохроизм двухбарьерных структур Au/n-GaAs/Au 188
5.4.2. Гигантский селективный фотоплеохроизм структур Au/n-GaP/p-Si 193
5.5. Выводы 195
6. Проявления поляризационной ф оточу в ствительн ости в структурах на элементарных полупроводниках Si и Ge .
6.1. Введение 199
6.2. Поляризационная фоточувствительность солнечных элементов ITO/Si 200
6.3. Фото чу в ствительн ость гетероструктур a-Si:H/c-Si 206
6.4. Фоточувствительность гетероструктур a-Si:H/p-CuInSe2. 211
6.5. Фоточувствительность гетероструктур пористый кремний/кремний. 216
6.6. Осцилляции наведенного фотоплеохроизма в тонкопленочных структурах In{Au)/Si 221
6.7. Фоточувствительность оптических гетер о контактов пористый кремний/слоистые полупроводники A11 BV1 226
6.8. Поляризационная фоточувствительность гетероструктур p-Ge/n-CdGeP2 230
6.9. Выводы 233
7. Поляризационная фоточувствительность гетероструктур на основе полупроводников А В и А В
7.1. Введение 241
7.2. Фоточувствительность гетероструктур n-CdS/p-InP 241
7.3. Фоточувствительность структур (p+-p")InP/ri+-CdS 249
7.4. Фотопреобразование в солнечных элементах ITO/p+-p-InP 253
7.5. Фоточувствительность гетероструктурна основе GaN 258
7.5.1. Фоточувствительность гетероструктур GaAs:N/GaAs и GaP:N/GaP. 258
7.5.2. Фотоэлектрические явления в гетероструктурах GaN/GaP 264
7.6. Фото чувствительность гетероструктур GaAlAs/GaAs в линейно-поляризованном свете, , 268
7.7. Выводы 273
8. Поляризационная фоточувствитсльность гетероструктур An,Bv/Si(Ge) и эффект гигантского наведенного фото плеохроизм а.
8.1. Введение 280
8.2. Наведенный фотоплеохроизм гетероструктур n-GaP/p-Si 280
8.3. Поляризационная фоточувствительность гетероструктур n-GaAs^PiVp-Si 286
8.4. Поляризационные свойства фоточувстзительности эпитаксиальных GaP- структур
на Si-подложках . 290
8.5. Поляризационная фоточувствительность гетероструктур GaN/Si 293
8.6. Фотоэлектрические явления в гетер острукту pax p-GaAs/n-Ge 299
8.7. Эффект усиления наведенного фотоплеохроизма . 301
8.8. Выводы 308
Заключение .
Приложение:
