Введение
ГЛАВА 1 Процессы на границе полупроводников и активных газов 12
1.1 Гетерогенные химические реакции на поверхности полупроводников и сопутствующие эффекты 12
1.2 Структура поверхности полупроводников 14
1.3 Поверхностные электронные состояния 15
1.4 Адсорбция и десорбция атомов и молекул 16
1.5 Гетерогенная рекомбинация атомов 20
1.6 Аккомодация энергии твердым телом 21
1.7 Радикалорекомбинационная люминесценция полупроводников 23
1.8 Автоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводников и металлов 25
1.9 Хемоэмиссия электронов 29
1.10 Распыление твердых тел активными газами в виде ионов и нейтральных частиц 31
1.11 Методы исследования поверхности и процессов на границе твердых тел и активных газов 32
1.12 Постановка задачи 55
ГЛАВА 2 Методика экспериментальных исследований 58
2.1 Экспериментальная установка 58
2.2 Образцы 77
2.3 Методика эксперимента 77
ГЛАВА 3 Явление стимулирования электронной эмиссии гетерогенной химической реакцией, протекающей на поверхности твердых тел 80
3.1 Введение 80
3.2 Стимулирование электронной эмиссии с поверхности твердых тел электрическим полем и гетерогенной химической реакцией 80
3.3 Автоколебания тока, стимулированного гетерогенной химической реакцией 106
3.4 Метод изучения структуры поверхностных каталитических центров 108
3.5 Распыление полупроводников атомарным водородом, сопутствующее стимулированной эмиссии электронов 109
Заключение 120
Список использованной литературы
