Введение
Глава 1. Вклад переходного излучения в формирование вдоль скорости излучающего электрона 16
1.1. Амплитуда переходного излучения релятивистских электронов в кристалле в окрестности брэгговского резонанса 16
1.2. Спектрально-угловое распределение переходного излучения в случае тонкого непоглощающего кристалла 21
1.3. Переходное излучение в толстом кристалле. Эффект аномального фотопоглощения в переходном излучении 28
1.4. Вклад ПРИ 33
1.5. Выводы 36
Глава 2. Конкуренция вкладов тормозного и параметрического механизмов излучения в формирование выхода квазичеренковского излучения релятивистских электронов в кристалле 39
2.1. Интенсивность когерентного рентгеновского излучения релятивистских электронов в неограниченном кристалле 40
2.2. Полный выход излучения из толстого поглощающего кристалла 45
2.3. Свойства квазичеренковского излучения релятивистских электронов, пересекающих толстый кристалл 48
2.4. Выводы 56
Глава 3. Параметрическое рентгеновское излучение в условиях проявления эффекта Вавилова-Черенкова 58
3.1. Амплитуда излучения релятивистского электрона в кристалле 58
3.2. ПРИ и дифрагированное черенковское излучение 63
3.3. Результаты численного анализа 71
3.4. Выводы 78
Глава 4. Особенности ПРИ в области малых углов ориентации скорости излучающих электронов относительно отражающей кристаллографической плоскости 80
4.1. Спектрально-угловое распределение ПРИ при скользящем падении электрона на отражающую кристаллографическую плоскость 80
4.2. Асимметрия углового распределения ПРИ в области малых углов ориентации 84
4.3. Эффект монохроматизации ПРИ 87
4.4. Выводы 93
Заключение 94
Список литературы 98
