Введение
1. Влияние водорода на свойства полупроводников и полупроводниковых структур. Водородные сенсоры 13
1.1. Обратимое влияние водорода на свойства полупроводниковых структур. Водородные сенсоры 15
1.2. Пассивация дефектов в полупроводниках атомарным водородом 33
1.3. Влияние квантоворазмерных слоев на образование и пассивацию дефектов.37
2. Методика эксперимента 44
2.1. Исследованные структуры и образцы 44
2.2. Методы исследования 49
3. Влияние водорода на свойства диодных МОП структур с квантовыми ямами и точками Pd/oKcnn/GaAs#nGaAs 57
3.1. Влияние толщины анодного оксида на характеристики структур и их чувствительность к водороду 60
3.2. Влияние квантоворазмерных слоев на ВАХи чувствительность диодных структур к водороду 69
3.3. Кинетика влияния водорода 73
3.4. Влияние водорода на планарную проводимость и фотопроводимость структур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs и островковым слоем Pd на поверхности... 77
3.4.1. Характеристики газовых сенсоров с островковым Pd электродом 80
3.5. Влияние водорода на фотоэлектронные свойства планарных структур Pd/GaAs на основе полуизолирующего и высокоомного арсенида галлия с квантовыми ямами и точками 83
3.6. Влияние микрорельефа поверхности полупроводника на чувствительность к водороду 88
3.6.1. Увеличение чувствительности к водороду кремниевого диода Шоттки путем модификации микрорельефа поверхности полупроводника 89
3.6.2. Влияние модификации поверхности полупроводника на свойства водо-родочувствительных диодов Шоттки на арсениде галлия 93
4. Явления дефектообразования и пассивации дефектов в диодных МОП структурах с квантовыми ямами и точками РсІ/оксид/СаАвЛпОаАв 105
4.1. Дефектообразование при анодном окислении GaAs 106
4.1.1. Дефектообразование при анодном окислении гетероструктур комбинированными слоями КЯ и КТ GaAs Pd/oKcun/GaAs/InGaAs 107
4.2. Дефектообразование при нанесении Pd электрода 109
4.3. Пассивация дефектов при обработке структур в атмосфере молекулярного водорода 122
4.4. Дефектообразование и водородная пассивация дефектов в структурах с квантовыми ямами GaAsAnGaAs и
островковым слоем Pd на поверхности 125
4.5. Влияние магнетронного облучения в водородной плазме на фотоэлектронные свойства гетероструктур с КЯ и КТ GaAsflnGaAs 128
Заключение 136
Литература 139
Список работ по теме диссертации 145
