Введение
Глава I. Расчет волноводных свойств многослойной квантоворазмерной полупроводниковой структуры 22
1.1. Оптическая модель 22
1.2. Анализ распространения мод 23
1.2. Итерационный поиск мод на комплексной плоскости 28
1.3. Выводы 33
Глава II. Электродинамика формирования диаграммы направленности и фактор наклона применительно к распределению интенсивности в дальней зоне полупроводникового лазера 34
1.1. Фактор наклона для распределения интенсивности излучения в дальней зоне лазера 34
3.2. Электродинамический расчет 37
3.3. Выводы 40
Глава III. Экспериментальное исследование диаграммы направленности и ее особенности для квантоворазмерных InGaAs гетеролазеров 42
3.1. Установка для экспериментального исследования диаграммы направленности 42
3.2. Математическая обработка экспериментальных данных 46
3.3. Экспериментальное определение фактора спонтанного излучения в моду полупроводникового лазера, работающего на «вытекающей» моде...51
3.3.1. Лазер, работающий на «вытекающей» моде 51
3.2.1. Эксперимент 53
3.2.2. Выводы 59
Глава IV. Оптимизация конструкции «гребневого» лазера по параметру максимальной мощности в режиме генерации одной фундаментальной пространственной моды 60
4.1. Оптимизация значения скачка эффективного показателя преломления 60
4.2. Оптимизация высоты «гребня» лазера 63
Список литературы 76
Приложение 1 82
