Введение
1 Неупорядоченная двумерная электронная жидкость в слабом магнитном поле 11
1.1 Введение 11
1.2 Вывод эффективного действия 13
1.2.1 Введение 13
1.2.2 Действие 16
1.2.3 Плазмонное поле и усреднение по случайному потенциалу 18
1.2.4 Выделение N-oro уровня Ландау 19
1.2.5 Перевальное решение для поля Q в отсутствие плазмонного поля А" (г) 20
1.2.6 Сдвиг перевального решения плазмонным полем А" (г) . 22
1.2.7 Эффективное действие 25
1.3 Экранированное взаимодействие, химический и термодинамический потенциалы 28
1.3.1 Экранированное взаимодействие 28
1.3.2 Химический и термодинамический потенциалы 31
1.3.3 Ограничение на ширину уровня Ландау 32
1.4 Эффективный g-фактор, спектр и время жизни спиновых волн 32
1.4.1 Эффективный (/-фактор 33
1.4.2 Спектр и время жизни спиновых волн 34
1.5 Туннелирование на высокий уровень Ландау заполненный на половину 36
1.6 Заключение 41
1.7 Приложение: Поправки к термодинамическому и химическому потенциалу 41
1.8 Приложение: Вычисление поляризационного оператора 43
1.9 Приложение: Вычисление поправок к термодинамическому и химическому потенциалу 44
1.9.1 Термодинамический потенциал 44
1.9.2 Химический потенциал 45
2 Фазовая диаграмма двумерных неупорядоченных электронов в слабом магнитном поле 47
2.1 Введение 47
2.2 Свободная энергия состояния волны зарядовой плотности . 50
2.2.1 Введение 50
2.2.2 Приближение Хартри-Фока 52
2.2.3 Усреднение по случайному потенциалу 53
2.2.4 Термодинамический потенциал 54
2.2.5 Свободная энергия 58
2.2.6 Свободная энергия состояний волны зарядовой плотности 59
2.3 Фазовая диаграмма в приближении среднего поля 61
2.3.1 Линия неустойчивости (спинодаль) 61
2.3.2 Заполненный на половину уровень Ландау (г/дг = 1/2) . 63
2.3.3 Фазовая диаграмма при нулевой температуре 65
2.4 Слабая кристаллизация 68
2.5 Обсуждение полученных результатов 73
2.5.1 Сравнение с экспериментом 73
2.5.2 Сравнение с численными расчетами 75
2.6 Заключение 76
2.7 Приложение: Вектор неустойчивости 76
3 Анизотропная проводимость двумерных электронов на высоком уровне Ландау, заполненном на половину 78
3.1 Введение 78
3.2 Трехуровневая модель 80
3.2.1 Введение 80
3.2.2 Эффективное действие для трехуровневой модели . 81
3.2.3 Приближение Хартри-Фока 82
3.2.4 Усреднение по случайному потенциалу 84
3.2.5 Термодинамический потенциал. Вклад второго порядка . 86
3.2.6 Трехуровневая модель 89
3.3 Проводимость состояния однонаправленной волны зарядовой плотности при ТС
3.3.1 Тензор проводимости ааь 90
3.3.2 Анизотропная часть тензора проводимости ^ 94
3.3.3 Изотропная часть тензора проводимости сг^ 95
3.4 Флуктуационная проводимость 97
3.4.1 Флуктуации параметра порядка с учетом анизотропии . 97
3.4.2 Флуктуационные поправки к анизотропной части (arris) тензора проводимости ааЬ 99
3.4.3 Флуктуационные поправки к изотропной части тензора проводимости 100
3.4.4 Пределы применимости результатов (3.70), (3.75) и (3.76)102
3.5 Обсуждение полученных результатов 102
3.6 Заключение 106
3.7 Приложение: Вычисление характерной температуры Т\ 107
3.8 Приложение: Вычисление величин IPlP2P3P4(Qo) 108
Заключение 110
Публикации автора по теме диссертации 114
Литература 115
