Введение
ГЛАВА 1. Современное состояние разработки транзисторного модуля производства интегральных КМОП схем 11
1.1. Современное состояние КМОП технологии, перспективы дальнейшего развития 11
1.2. Стандартный технологический процесс изготовления транзисторного модуля КМОП ИМС с проектными нормами 0.3 5 мкм 16
1.3. Преимущества и недостатки использования в технологическом процессе кластерного оборудования 18
1.4. Роль приборно-технологического моделирования при разработке и оптимизации технологии 28
1.5. Выводы и постановка задачи 31
ГЛАВА 2. Анализ базового технологического маршрута 34
2.1. Общая характеристика базового технологического маршрута 34
2.2. Формирование модуля мелко-щелевой изоляции 37
2.3. Формирование транзисторного модуля 43
2.4. Формирование модуля металлизации 52
2.5. Выводы 60
ГЛАВА 3. Разработка модели технологического маршрута получения транзисторов с минимальными нормами 0.35 мкм 61
3.1 Настройка и адаптация программ приборно-технологического моделирования 61
3.2. Проведение интеграции технологических процессов при помощи приборно-технологического моделирования 72
3.3. Выводы
ГЛАВА 4. Исследование влияния ключевых технологических параметров на электрофизические характеристики транзисторов 77
4.1 Исследование влияния параметров имплантации ретроградных карманов на значения тока насыщения и порогового напряжения 77
4.2 Исследование влияния параметров блока затворов на значения тока насыщения, порогового напряжения и напряжения пробоя транзистора 85
4.3. Исследование влияния параметров имплантации LDD на значения тока насыщения, тока в подложку и напряжения пробоя транзистора ...90
4.4. Исследование влияния параметров имплантации и отжига сток-истоковых областей на значение тока насыщения 100
4.5. Выводы 105
ГЛАВА 5. Экспериментальная разработка блока затворов 106
5.1. Исследование влияния положения уровня окисла в канавке около
края островка на электрофизические параметры транзистора 106
5.2. Определение максимально допустимого превышения толщины окисла над островком для качественного выполнения операции травления слоя затворов 113
5.3. Разработка процесса фотолитографии слоя затворов для предотвращения сужения краев шин затворов 116
5.4. Выводы 119
ГЛАВА 6. Результаты оптимизации и изготовления транзисторов по разработанному технологическому маршруту 121
6.1. Получение при помощи приборно-технологического моделирования полиномиальных моделей для основных электрофизических параметров 121
6.2. Определение допусков на наиболее сильно влияющие технологические параметры по заданным допустимым диапазонам изменения электрофизических характеристик 125
6.3. Определение чувствительности основных электрических параметров к разбросу значений технологических параметров 128
6.4. Оптимизированный технологический маршрут транзисторного модуля с указанием основных параметров ключевых операций 132
6.5. Проведение сравнения расчетных и экспериментальных значений электрофизических параметров транзисторов со спецификацией 134
6.6. Результаты изготовления микросхем по разработанному технологическому маршруту 138
6.7. Выводы 143
Заключение 144
Список использованной литературы 146
