Введение
ГЛАВА I. Обзор литературы 11
1. Методы выращивания кристаллов и их основные электрофизические свойства II
2. Примесная фотолюминесценция теллурида цинка и ее связь с преобладающими акцепторами 20
3. Электрические и люминесцентные свойства кристаллов, легированных донорами. Компенсация донорной примеси 28
4. Свойства излучающих структур и электролюми несценция теллурида цинка 36
ГЛАВА II. Выращивание монокристаллов и методика эксперимента 44
5. Способы получения монокристаллов теллурида цинка 44
6. Методика исследований электрофизических и люминесцентных свойств кристаллов и диодных структур 52
7. Анализ структурных, электрических и люминес центных характеристик кристаллов ZftTe , выращенных различными способами 59
ГЛАВА III. Узколинейчатая фотолюминесценция нелегированных кристаллов теллурвда цинка, обусловленная дислокациями 69
8. Связь линейчатой люминесценции с макродефектами кристалла 69
9. Механизмы излучательных переходов, соответствующие линейчатым спектрам 83
ГЛАВА ІV. Влияние термообработки, облучения мовдыми световыми потоками и легирования на процессы излучатешой рекомбинации теплурвда цинка 95
10. Трансформация широкополосной фотолюминесценции кристаллов после термообработки или мощного лазерного облучения 95
11. Влияние легирования на излучательную рекомбинацию носителей в кристаллах 108
12. Люминесценция кристаллов ZnTe , легированных мелкими донорами 120
ГЛАВА V. Электрические и электролшинесцентные свойства диодных структур, полученных ионной имплантацией бора или диффузией алюминия 139
13. Свойства омических контактов к ZriTe , образующихся при электрохимическом осаждении металлов 139
14. Влияние технологических условии получения на основные электрические характеристики диодов 144
15. Электролюминесценция диодов на основе 2пТе 152
Основные результаты и выводы 160
Литература 167
