Введение
Глава 1 Методы неразрушающего диагностического контроля полупроводниковых изделий 7
1.1. Общие требования 7
1.2. Критерии прогнозирования потенциальной ненадежности ИС по внезапным и параметрическим отказам 12
1.3. Использование воздействия электростатических разрядов и последующего отжига в диагностических методах 16
1.3.1. Катастрофические и параметрические отказы полупроводниковых изделий 16
1.3.2. Отжиг электростатических дефектов 21
1.3.3. Пример метода разделения партий ИС по стойкости к электростатическим разрядам23
Выводы к главе 1 26
Глава 2 Влияние электростатического воздействия на транзисторы кп728е1 27
2.1. Конструктивно-технологические особенности транзисторов КП728Е1 27
2.2. Определение допустимого потенциала электростатических зарядов 31
2.3. Стойкость транзисторов к ЭСР различной полярности 32
2.3.1. Методика проведения работы 32
2.3.2. Испытания, проводимые при комнатной температуре .34
2.3.3. Испытания, проводимые при температуре О С и 100 С 36
2.4. Влияние термоциклирования на стойкость к воздействию ЭСР 40
2.5. Работоспособность транзисторов и воздействие ЭСР 41
2.6. Влияние механических воздействий на стойкость к ЭСР 43
2.7. Влияние различных воздействий и ЭСР на поведение электрических параметров транзисторов 48
2.7.1. Ток утечки затвора 48
2.7.2. Остаточный ток стока 49
2.7.3. Напряжение «затвор-исток» пороговое 50
2.8. Способ сравнительной оценки надежности партий транзисторов 54
Выводы к главе 2 57
Глава 3 Методы разделения партий транзисторов по стойкости К ЭСР 58
3.1. Конструктивно-технологические особенности транзисторов типов КТ315 и КТ361 58
3.2. Стойкость транзисторов типов КТ315 и КТ361 к воздействию ЭСР 61
3.3. Разработка способа разделения партий транзисторов по стойкости к воздействию ЭСР67
Выводы к главе 3 73
Глава 4 Выделение из партий ис группы схем повышенной надежности 74
4.1. Конструктивно-технологические особенности ИС типа КР561ЛН2 74
4.2. Стойкость ИС типа КР561ЛН2 к воздействию ЭСР 80
4.3. Разработка метода выделения из партии ИС группы схем повышенной надежности84
Выводы к главе 4 88
Основные результаты и выводы 89
Список литературы 90
