Введение
Глава 1 . Примесные состояния в халькогенидных структурно-разупорядоченных полупроводниках (обзор литературы) 22
1.1. Введение 22
1.2 Халькогенидные кристаллические полупроводники 23
1.2.1. Халькогенидные структурно-разупорядоченные полупроводники со стехиометрическими вакансиями 23
1.2.2. Узкозонные халькогенидные полупроводники 24
1.3. Халькогенидные стеклообразные полупроводники 27
1.3.1. Локальная структура халькогенидных стекол 27
1.3.2. Энергетический спектр локализованных состояний в ХСП 29
1.3.3. Примеси в стеклообразных полупроводниках 32
1.3.4. Фотоструктурные превращения 38
1.3.5. Распределение релаксаторов в халькогенидных стеклах 40
1.3.6. Фотодиэлектрический эффект 41
1.4. Заключение. Постановка задачи исследования 42
Глава2. Методика эксперимента 46
2.1. Методика измерения релаксационных характеристик тонких слоев халькогенидных стекол 46
2.2. Термоактивационные методы исследования поляризационных процессов в халькогенидных стеклах 49
2.3. Методика измерения динамических вольтамперных характеристик 53
2.4. Мессбауэровская спектроскопия 54
2.5. Измерение физико-химических свойств 59
2.6. Синтез образцов 63
Глава 3. Примесные двухэлектронные центры с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидных кристаллических полупроводниках 68
3.1 Введение 68
3.2. U -центры в твердых раствора сульфидов свинца и олова 69
3.3. U" -центры в твердых растворах селенидов свинца и олова . 80
IT -центры в твердых растворах теллуридов свинца и олова . 91
Примесные центры олова в антиструктурных позициях халь-когенидов свинца 91
U" -центры в твердых растворах сульфидов свинца и германия 94
U" -центры в твердых растворах селенидов свинца и германия 103
U" -центры в твердых растворах Agi.ySni+ySe2 и сверхпроводимость 113
Одноэлектронные примесные центры европия в PbS 120
Заключение 126
Глава 4. Поляризационные эффекты в халькогенидных стеклообразных полупроводниках 128
Введение 128
Изотермическая релаксация токов как метод исследованияраспределения релаксаторов в ХСП 128
Релаксационные темновые токи в стеклах системы As-Se 137
Релаксационные процессы в пленках As2Se3, полученных разными методами 140
Термоактивационная спектроскопия локализованных состояний в стеклах системы Ge-Pb-S 144
Попытка идентификации U" -центров в стеклах As2Se3 и AsSel 156
Заключение 160
Глава 5 Примесные двухэлектронные центры с отрицательной корреляционной энергией в халь-когенидных стеклообразных полупроводниках 162
Введение 162
U" -центры в стеклообразных сплавах халькогенидов свинца и германия 163
Влияние метода легирования на состояние примесных атомовв стеклообразном As2S3 173
U" -центры в стеклообразных и кристаллических сплавах теллуридов галлия и индия 179
Кластерная структура модифицированного стекла As2Se3 191
Поляризационные свойства модифицированных стекол As2Se3 201
U" -центры в стеклообразных сплавах на основе селенидов германия, олова и мышьяка 207
5.8. Заключение 221
Глава 6. Фотоиндуцированные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках 224
6.1. Введение 224
6.2. Фотоэлектрические и релаксационные характеристики фото-чувствительных слоев на основе халькогенидных стекол 224
6.3. Частотная зависимость ФДЭ в слоях As2Se3. Определение микропараметров полупроводниковой стеклообразной системы 230
6.4. Фотоиндуцированное изменение релаксационных характеристик электрофотографической системы As4oS3oSe3o 236
6.5. Фотоиндуцированные изменения оптических и контактных свойств халькогенидных стекол 245
6.6. Влияние фотоструктурных превращений на диэлектрические свойства системы Me As4oS3oSe3o 248
6.7. Фотоиндуцированное изменение скорости растворения стекол As2Se3 225
6.8. Природа структурных перестроений стекол Gei.x.ySnyTex 261
6.9. Заключение 271
Заключение 274
Литература 278
Список работ, опубликованных по теме диссертации 294
