Введение
ГЛАВА 1 Основные электронные и оптические свойства GaAs .
ГЛАВА 2 Техника эксперимента.
ГЛАВА 3 Использование стационарных спектров экситонной фотолюминесценции для диагностики эпитаксиальных слоев n-GaAs .
ГЛАВА 4. Заселение центров захвата дырок в n-GaAs.
ГЛАВА 5. Освобождения дырок с центров захвата .
Заключение 1 3 5
Литература 1 3 7
