Введение
ГЛАВА 1. Обзор литературы 9
1.1 Аморфный гидрированный кремний 9
1.1.1 Структура и методы получения a-Si:H 9
1.1.2 Плотность электронных состояний в щели подвижности a-Si:H 10
1.1.3 Влияние легирования на плотность электронных состояний a-Si:H 17
1.1.4 Влияние освещения на плотность электронных состояний a-Si:H 22
1.2 Микрокристаллический гидрированный кремний 36
1.2.1 Получение и структура nc-Si:H 36
1.2.2 Плотность электронных состояний в цс-Si.H 38
1.3 Фотоэлектрические методы исследования распределения плотности
электронных состояний в щели подвижности a-Si:H и цс-ShH 40
1.3.1 Метод постоянного фототока 40
1.3.2 Метод фотомодуляционной спектроскопии 42
1.4 Выводы из обзора литературы и постановка задачи 43
ГЛАВА 2. Методика измерений 45
2.1 Методика измерения электрических и фотоэлектрических свойств пленок a-Si:H и цс-Sv.H 45
2.2 Методика измерения спектральной зависимости коэффициента поглощения пленок a-Si:H и цс-ShH 47
2.3 Методика измерения плотности электронных состояний из измерений температурных зависимостей переменной и постоянной составляющих фотопроводимости 51
ГЛАВА 3. Исследование плотности электронных состояний в цс-Si.H И a-Si:H(Er) 60
3.1 Распределение плотности электронных состояний в хвостах зоны проводимости и валентной зоны цс-БШ 60
3.2 Влияние легирования эрбием на плотность электронных состояний в щели подвижности a-Si:H 69
ГЛАВА 4. Фотоиндуцированные состояния в компенсированном аморфном гидрированном кремнии 79
4.1 Влияние положения уровня Ферми на фотоиндуцированное изменение проводимости и плотности состояний в щели подвижности a-Si:H 79
4.1.1. Исследованные образцы 79
4.1.2. Основные свойства исследованных пленок 80
4.1.3. Фотоиндуцированные изменения параметров исследованных пленок 83
4.2 Влияние освещения на плотность состояний в щели подвижности компенсированного a-Si:H с большой концентрацией примесей 97
4.2.1 Основные свойства исследованных пленок 98
4.2.2 Фотоиндуцированные изменения проводимости исследованных пленок 100
4.2.2.1 Кинетика изменения проводимости в процессе освещения..100
4.2.2.2. Релаксация остаточной фотопроводимости после прекращения освещения 104
4.2.3 Фотоиндуцированные изменения плотности состояний в щели подвижности компенсированного a-Si:H 107
Заключение 114
Список опубликованных работ 117
Список литературы 118
