Введение
Глава 1. Состояние вопроса по структурам на основе GaN и его твердых растворов
1.1 Проблемы создания и основные параметры гетероструктур на основе GaN и его твердых растворов
1.2 Оптические характеристики СД-структур на основе GaN и его твердых растворов.
1.3 ВАХ СД на основе GaN и его твердых растворов. 27
1.4 Подвижность носителей заряда и механизмы рассеяния в структурах на основе GaN и его твердых растворов .
1.5 Вольт-емкостные характеристики СД на основе GaN с КЯ. 35
1.6 Определение параметров глубоких уровней 36
1.7 Выводы по главе 38
Глава 2. Определение параметров рекомбинационных центров в пространственно неоднородных структурах 40
2.1 Туннельная рекомбинация в структурах на основе AlGaN/biGaN/GaN с ОКЯ и на основе InGaN/SiC
2.1.1. R^ (U) для структур на основе AlGaN/biGaN/GaN с ОКЯ 44
2.1.2 Исследование структур InGaN/SiC с модулированным легированием и ОКЯ 47
2.2 Коэффициент пропускания структуры на основе AlGaN/InGaN/GaN
2.2.1 Определение параметров барьеров, образующих КЯ. 47
2.2.2 Расчет коэффициента пропускания 49
2.3 Рекомбинация в структурах на основе твердого раствора LiGaN/GaN
2.3.1 Определение энергии активации процесса туннелирования из зависимости приведенной скорости рекомбинации от температуры 55
2.4 Выводы по главе 59
Глава 3. Электрические характеристики структур на основе InGaN/GaN 60
3.1 Описания образцов для исследования 60
3.2 В АХ структур на основе твердого раствора InGaN 61
3.2.1 Описание экспериментальной установки для измерения ВАХ. 61
3.2.2 Механизмы токопереноса 62
3.2.3 Подвижность и механизмы рассеяния в структурах на основе InGaN/GaN
3.2.4 Влияние туннелирования на ВАХ 75
3.2.4.1 Туннельный ток в структурах с потенциальными и квантовыми ямами
3.2.4.2 Влияние туннелирования на ВАХ 78
3.3 Вольт-фарадные характеристики структур на основе InGaN/GaN
3.3.1 Описание экспериментальной установки для измерения ВФХ. 81
3.3.2.С-характеристики структур на основе InGaN/GaN 84
3.3.3 Определение параметров я-перехода с компенсированным слоем
3.4 Выводы по главе 96
Глава 4 Электролюминесцентные характеристики структуры на основе InGaN/GaN
4.1 Описание экспериментальной установки для измерения спектровЭЛ 98
4.2 Влияние температуры на спектры ЭЛ структуры на основе InGaN/GaN 100
4.3 Влияние тока на спектры ЭЛ при постоянной температуре (Г=293 К, Г=93 К) 104
4.4 Коэффициент полезного действия светодиодов на основе InGaN/GaN 107
4.5 Выводы по главе 111
Глава 5. Определение параметров глубоких уровней структуры на основе InGaN/GaN методами емкостной спектроскопии
5.1 Термостимулированная емкость (ТСЕ) 113
5.1.1 Установка измерения ТСЕ 113
5.1.2 ТСЕ структуры на основе InGaN/GaN 115
5.2 Спектры DLTS 117
5.2.1. Установка для измерения спектра DLTS 117
5.2.2 Спектры DLTS структуры на основе InGaN/GaN 120
5.3 Выводы по главе 124
Заключение 125
Список литературы 130
