Введение
Глава I. Существующие представления о магниторезистивной памяти (обзор) 11
Глава II. Бистабильное состояние в магнитных наноструктурах 42
2.1. Две легкие оси в плоскости слоя 42
2.2. Переход намагниченности между положением в плоскости слоя и перпендикулярным к слою направлением 49
2.3. Итоги второй главы 53
Глава III. Поверхностные искажения параметра порядка в мультиферроике – слабом ферромагнетике 54
3.1. Гладкая некомпенсированная поверхность полубесконечного образца 54
3.2. Гладкая компенсированная поверхность полубесконечного образца 59
3.3. Итоги третьей главы 61
Глава IV. Двухслойная наноструктура ферромагнетик мультиферроик 63
4.1. Поверхностные искажения и энергия взаимодействия магнитных параметров порядка в системе ферромагнетик-мультиферроик 64
4.2. Численное моделирование магнитной структуры
компенсированной границы раздела ферромагнетик-мультиферроик 72
4.3. Магнитоупругое взаимодействие в системе ферромагнетик мультиферроик 79
4.4. Принцип устройства MERAM на основе обменного взаимодействия со слоем мультиферроика 85
4.5. Условие переключения намагниченности ферромагнитного нанослоя электрическим полем, приложенным к нанослою мультиферроика 87
4.6. Оценка минимального латерального размера бита 88
4.7. Итоги четвертой главы 88
Глава V. Обменная связь нанослоя мультиферроика bifeo3 с нанослоем ферромагнетика Co0,9Fe0,1 90
5.1. Магнитная структура границы раздела 91
5.2. Энергия взаимодействия слоев
5.3. Численное моделирование параметров порядка вблизи границы раздела слоев 96
5.4. Обменный и магнитоупругий вклад в энергию взаимодействия слоев 99
5.5. Итоги пятой главы 101
Глава VI. Эволюция вектора антиферромагнетизма мультиферроика bifeo3 в процессе переключения его сегнетоэлектрической поляризации 102
6.1. Модель для энергии магнитной анизотропии 103
6.2. Численное моделирование в рамках феноменологической модели 104
6.3. Теоретические рекомендации для создания прототипов магниторезистивной памяти нового поколения 112
Заключение 113
Литература
