Введение
Глава 1. Обзор литературы .17
1.1. Результаты исследований электрических свойств и свойств дислокации в пленках GaN и структурах на его основе. Исследования методом наведенного тока . 17
1.2. Влияние облучения 24
Глава 2. Исследуемые структуры и применяемые методики 29
2.1. Описание исследуемых структур 29
2.1.1. Пленки GaN 29
2.1.2. Синие светодиоды с множественными квантовыми ямами на основе системы InGaN/GaN 29
2.1.3. Латерально зарощенные пленки GaN. 30
2.1.4. Структуры со светодиодными наностолбиками 32
2.2. Описание применяемых методов .33
2.2.1. Формирование сигнала в методе наведенного тока... 34
2.2.2. Основные электрические характеристики, измеряемые методом наведенного тока .35
2.2.3. Метод С-V измерений и катодолюминесценция .44
2.2.4. Используемые приборы и параметры измерений 46
Глава 3. Определение основных электрических характеристик MOCVD и латерально разросшихся пленок GaN с помощью метода наведенного тока 49
3.1. Исследование изображений в режиме наведенного тока протяженных дефектов в MOCVD и ELOG-пленках GaN 49
3.2. Измерение локальных значений основных электрических параметров в ELOG пленках GaN . 3.2.1. Результаты измерения и моделирования локальной эффективности собирания 56
3.2.2. Сравнение результатов измерения эффективной концентрации доноров в ELOG пленках методами наведенного тока и C–V характеристик 60
3.3. Эффект аномального транспорта неравновесных носителей заряда вне барьера Шоттки .62
3.4. Выводы 66
Глава 4. Исследования методом наведенного тока физических параметров светодиодов на основе квантовых ям InGaN/GaN . 67
4.1. Характеризация светоизлучающих структур с системой множественных квантовых ям InGaN/GaN 67
4.1.1. Измерение и моделирование зависимости эффективностисобирания наведенного тока для светодиодов с различным числом квантовых ям. 67
4.1.2. Связь между эффективностью собирания неосновных носителей заряда и расположением квантовых ям относительно границы области пространственного заряда 69
4.2. Изображения светоизлучающих структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN в режиме наведенного тока 72
4.3. Исследование механизма формирования светлого контраста и его микроскопической природы.. 75
4.3.1. Измерение эффективности собирания навденного тока в области крупных светлых областей 75
4.3.2. Микроскопическая природа больших светлых дефектов 78
4.4.Выводы Глава 5. Влияние облучения электронным пучком на электрические и оптические свойства пленок GaN и светоизлучающих структур на его основе 81
5.1. Облучение низкоэнергетичным электронным пучком структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN 81
5.2. Зависимость воздействия LEEBI на оптические и электрические свойства светодиодов от условий облучения 89
5.2.1. Роль инжекции неравновесных носителей заряда в активную область светодиодов в эволюции спектров катодолюминесценции при LEEBI 89
5.2.2. Зависимость спектров катодолюминесценции множественных квантовых ям от приложенного обратного напряжения при различных дозах облучения. Механизм изменения электрических свойств светодиодов при LEEBI. 92
5.3. Механизм изменения оптических свойств светодиодов при LEEBI 97
5.4. Измерения, подтверждающие наличие релаксации напряжений при LEEBI в светоизлучающих структурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN 102
5.4.1. Зависимости интенсивности излучения катодолюминесценции в области квантовых ям от температуры 102
5.4.2. Влияние LEEBI на спектры микрокатодолюминесценции планарных светоизлучающих структур и структур с наностолбиками с множественнымиквантовыми ямами InGaN/GaN
5.5. Влияние облучения электронным пучком на ELOG пленки GaN 107
5.6. Выводы 116
Заключение 118
Список литературы .
