Исследование и разработка методов формирования устройств наноэлектроники с применением технологии наноимпринт-литографии

Зайцев Алексей Александрович. Исследование и разработка методов формирования устройств наноэлектроники с применением технологии наноимпринт-литографии: диссертация ... кандидата технических наук: 05.27.01 / Зайцев Алексей Александрович;[Место защиты: Национальный исследовательский университет «МИЭТ»].- Москва, 2014.- 125 с.
Автор
Зайцев Алексей Александрович
Год
2014
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Обзор основных методов литографии, методов создания Т-образных затворов и принципов работы СВЧ транзисторов 9
1.1 Основные методы литографии в микро и наноэлектронике 9
1.1.1 Фотолитография на основе DUV и EUV источников излучения 9
1.1.2 Литография, основанная на заряженных пучках частиц 16
1.1.3 Наноимпринт литография 25
1.2 Принципы работы СВЧ транзисторов с высокой подвижностью носителей заряда. Методы формирования Т-образных затворов с использованием технологий нанолитографии 33
1.2.1. Принципы работы и конструкция СВЧ транзисторов 33
1.2.2 Методы формирования Т-образных затворов транзисторов 37
1.4 Выводы по главе 1 41
Глава 2. Исследование технологии наноимпринт литографии 43
2.1 Особенности вязкоупругого течения полимеров 43
2.1.1. Теоретические основы вязкоупругого поведения полимеров при сжатии 43
2.1.2. Исследование процесса формирования микрометровых элементов и наноразмерных периодических структур в технологии наноимпринт литографии 47
2.2 Исследование и оптимизация параметров нанесения антиадгезионных слоев в наноимпринт литографии 53
2.3 Выводы по главе 2 61
Глава 3. Формирование СВЧ транзисторов с Т-образным затвором методом наноимпринт литографии и исследование их электрофизических характеристик 62
3.1. Формирование штампа для наноимпринт литографии 62
3.2 Технология формирования СВЧ транзисторов с Т-образным затвором методом наноимпринт литографии 65
3.2.1. Гетероструктуры для СВЧ транзисторов 66
3.2.2. Формирование наноразмерных областей Т-образных затворов методом наноимпринт литографии 68
3.2.3. Плазмохимическое травление элементов Т-образных затворов в слое нитрида кремния 70
3.2.4. Формирование омических контактов 73
3.2.5. Изоляция активных областей транзисторов 76
3.2.6. Формирование Т-образного затвора транзистора 78
3.2.7. Формирование металлизации 1-го уровня разводки 80
3.3 Исследование DC- и RF-параметров сформированных СВЧ транзисторов 82
Выводы по главе 3 92
Глава 4. Формирование и исследование встречно-штыревых и островковых наноструктур, созданных с применением наноимпринт литографии 94
4.1. Встречно-штыревые структуры, формируемые методом наноимпринт литографии на пьезоэлектрических подложках 94
4.2. Формирование каталитических островковых структур для роста вертикально ориентированных углеродных нанотрубок 101
Выводы по главе 4 110
Заключение 111
Список использованных источников

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Клунникова Юлия Владимировна
Количество страниц
Год
2017
99 000 UZS
Автор
Захаров Павел Сергеевич
Количество страниц
Год
2025
99 000 UZS
Автор
Лагош Антон Валерьянович
Количество страниц
Год
2017
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3