Введение
ГЛАВА 1. Особенности эпитаксии пленок твердых растворов si-ge вакуумным методом с применением гидридов 18
1.1. Достоинства и перспективы использования вакуумного химического
метода эпитаксии для выращивания на Si слоев Ge и твердого раствора SiGe 18
1.2. Физико-химические процессы, протекающие на ростовой поверхности Si при гетероэпитаксии слоев Sii хGeх из гидридов 32
1.3. Энергии связей, механизмы адсорбции и особенности десорбции водорода с поверхности кремния 43
1.4. Активации физико-химических процессов на поверхности роста пленки с использованием высокочастотной радиации 50
ГЛАВА 2. Физико-химические процессы на поверхности кремния в условиях эпитаксиального роста пленок 56
2.1. Общие уравнения кинетики двухкомпонентного поверхностного распада молекул гидридов и их связь с ростом пленок в вакууме 56
2.2. Особенности десорбции водорода с поверхности SiGe пленки 78
2.3. Особенности двухкомпонентного распада молекул моногидрида Si на поверхности эпитаксиального слоя кремния 88
2.4. Кинетика распада молекул дисилана на ростовой поверхности кремния на два неидентичных радикала 98
2.5. Зависимость температурного поведения скорости пиролиза молекул дисилана от выбора модели распада при разных давлениях газа в реакторе 107
ГЛАВА 3. Кинетика пиролиза моногидридов кремния и германия на поверхности слоя твердого раствора SIbxGEx 111
3.1. Общее решение системы кинетических уравнений для смеси молекулярных пучков силана и германа в реакторе ростовой установки 111
3.2. Влияние состава слоя Sii xGex на характер температурного поведения кинетических коэффициентов vGeHj и Vsej 115
3.3. Особенности процесса пиролиза в условиях распада молекул гидридов Si и Ge на различных стадиях адсорбции 121
3.4. Взаимосвязь скорости кристаллизации адатомов на поверхности роста Si1-xGex слоя со скоростью пиролиза молекул гидридов Si и Ge 125
3.5. Влияние скорости поверхностного распада молекул на рост и характеристики выращиваемого слоя 135
ГЛАВА 4. Особенности взаимодействия с поверхностью атомарных и молекулярных пучков в установках с комбинированными источниками 149
4.1. Особенности кинетики распада молекул германа в Si-GeH4 МBE 149
4.2. Влияние атомарных потоков Si и Ge на скорость поверхностного пиролиза радикалов молекул германа 156
Выводы 167
Список использованных источников 169
Приложение: список обозначений и сокращений
