Введение
Глава 1. Формирование полупроводниковых наноструктур на основе кремния и их оптические свойства (обзор литературы) 10
1.1 Свойства квантово-размерных нанокластеров кремния. 10
1.2 Ионная имплантация как метод создания нанокристаллов кремния в SiO2. 15
1.3 Модификация полупроводниковых нанокластеров с применением импульсных и радиационных воздействий. 18
1.3.1 Импульсные отжиги. 18
1.3.2 Радиационные эффекты в кремниевых наноструктурах (на примере пористого кремния) . 23
1.3.3 Внедрение легирующих примесей в нанокристаллы кремния. 30
Глава 2. Экспериментальные методы 34
2.1 Методики приготовления образцов с нанокластерами кремния. 34
2.2 Методика фотолюминесценции. 37
2.3 Спектроскопия комбинационного рассеяния света и ИК-спектроскопия. 40
2.4 Электронная микроскопия образцов. 43
2.5 Оже и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия. 44
Глава 3. Формирование и модификация нанокластеров кремния в пленках SiOx с применением импульсных отжигов 48
3.1 Формирование и модификация нанокластеров кремния в пленках SiOx при быстрых термических и импульсных световых воздействиях. 48
3.2 Модификация нанокластеров кремния в пленках SiOx при нано- и фемтосекундных лазерных воздействиях. 49
3.3 Обсуждение диффузионных механизмов образования нанокристаллов Si при быстрых термических и импульсных световых воздействиях . 54
Основные результаты и выводы по главе 3. 63
Глава 4. Формирование и модификация светоизлучающих нанокластеров кремния с применением тяжелых ионов высоких энергий 64
4.1 Фазовое расслоение и формирование нанокластеров кремния в пленках SiO2 при воздействиях тяжелых ионов высоких энергий. 65
4.2 Стимулирование зародышеобразования нанокластеров кремния в пленках SiOх при воздействиях тяжелых ионов высоких энергий. 72
4.3 Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO2. 77
Основные результаты и выводы по главе 4. 88
Глава 5. Действие облучения на нанокристаллы кремния в пленках SiO2 90
5.1 Облучение легкими частицами: действие радиационных дефектов на светоизлучающие свойства нанокристаллов кремния в пленках SiO2. 90
5.2 Влияние интенсивности торможения ионов при облучении на дефектообразование в нанокристаллах кремния. 106
5.3 Внедрение бора и фосфора в светоизлучающие нанокристаллы кремния в пленках SiO2. 115
Основные результаты и выводы по главе 5. 129
Основные результаты и выводы 130
Заключение 132
Литература 133
