Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP

Лазаренко Александра Анатольевна. Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP: диссертация ... кандидата Физико-математических наук: 01.04.10 / Лазаренко Александра Анатольевна;[Место защиты: ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»], 2020
Автор
Лазаренко Александра Анатольевна
Год
2020

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Исследование механизма пассивации поверхности InAs(111)A фторсодержащими анодными слоями
99 000 UZS
Автор
Аксенов Максим Сергеевич
Количество страниц
Год
2019
Физико-химические свойства разбавленного магнитного полупроводника GaMnAs
99 000 UZS
Автор
Крюков Руслан Николаевич
Количество страниц
Год
2019
Исследование спиновых взаимодействий в разбавленном магнитном полупроводнике (Ga,Mn)As методами горячей фотолюминесценции и неупругого рассеяния света с переворотом спина
99 000 UZS
Автор
Димитриев Григорий Семенович
Количество страниц
Год
2019
Моделирование процессов термического выглаживания и разупорядочения поверхности полупроводников
99 000 UZS
Автор
Казанцев Дмитрий Михайлович
Количество страниц
Год
2019
Структурные и оптические свойства пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников на основе S, Se и Te
99 000 UZS
Автор
Нежданов Алексей Владимирович
Количество страниц
Год
2019
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3