Введение
Глава 1. Формирование тонких пленок германия на поверхности Si(100) методом МЛЭ 25
1.1. Особенности морфологического состояния тонких пленок Ge 25
1.2. Анализ структуры поверхности наногетероструктур с квантовыми точками германия методом ДБЭ 35
1.3. Моделирование начальной стадии роста пленки германия на кремнии 48
1.4. Структурная фазовая диаграмма морфологического состояния пленки германия на поверхности Si(100) 60
1.6. Осцилляции параметра решетки в процессе роста смачивающего слоя Ge на поверхности Si(100) 64
1.6. Анализ параметров массива квантовых точек 80
1.7. Свойства массива квантовых точек германия на поверхности Si(100) 86
Заключение к главе 1 96
Глава 2. Толщина перехода от двумерного механизма роста к трехмерному в процессе гетероэпитаксиального роста слоев на основе Ge 99
2.1. Толщина смачивающего слоя 99
2.2. Элементарные атомные процессы на поверхности роста в процессе МЛЭ Ge на Si(100) 102
2.3. Механизмы роста эпитаксиальных плёнок 103
2.4. Эффекты самоорганизации 110
2.5. Размеры и плотность островков 114
2.6. Влияние температуры осаждения Ge на толщину смачивающего слоя 117
2.7. Толщина смачивающего слоя пленки GeSi на поверхности Si(100)
2.7.1. Критическая толщина псевдоморфного роста пленки GeSi 128
2.7.2. Начальные стадии роста пленок GexSi1-x на Si 133
2.7.3. Особенности роста пленки Ge на поверхности напряженного слоя GexSi1-x 1 2.8. Толщина смачивающего слоя пленок GeSiSn на поверхности Si(100) 152
2.9. Фотоприемник на основе квантовых точек Ge на поверхности напряженного слоя GeSi 159
Заключение к главе 2 163
Глава 3. Вертикальное упорядочение островков Ge в матрице кремния 165
3.1. Формирование вертикально упорядоченных островков Ge в матрице кремния и возможные пути использования 165
3.2. Изменение параметра поверхностной элементарной ячейки в процессе роста кремния на слое германия 171
3.3. Влияние вертикального упорядочения на свойства массива островков Ge 177 3.4. Зависимость толщины смачивающего слоя от количества повторений в периодической структуре (Ge/Si)n 182
3.5. Ситез гетероструктуры Ge/Si с двойными квантовыми точками Ge.. 186
Заключение к главе 3 188
Глава 4. Получение наностровков Ge ультра-малых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой поверхности окиси Si 191
4.1. Рост пленки Ge на атомарно-чистой поверхности окиси Si как способ уменьшения размеров островков и увеличения их плотности 191
4.2. Формирование тонкого слоя окисла на поверхности Si(100) в установке МЛЭ 194
4.3. Механизм роста пленки Ge на окисленной поверхности Si(100) 201
4.4. Свойства массива островков Ge, растущих на окисленной поверхности кремния 208
4.5. Синтез гетероструктур с квантовыми точками германия на окисленной поверхности кремния для Ge/ Si-фотодиода 211
Заключение к главе 4. 213
Основные результаты и выводы 215
Благодарности 220
Список литературы 221
