Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях

Ахундов, Игорь Олегович. Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ахундов Игорь Олегович; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН].- Новосибирск, 2013.- 122 с.: ил. РГБ ОД, 61 13-1/681
Автор
Ахундов, Игорь Олегович
Год
2013

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Излучательные, электрические, и магнитные свойства арсенид-галлиевых структур, дельта-легированных марганцем
99 000 UZS
Автор
Калентьева Ирина Леонидовна
Количество страниц
Год
2017
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества
99 000 UZS
Автор
Барановский, Максим Владимирович
Количество страниц
Год
2013
Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
99 000 UZS
Автор
Богословский, Никита Александрович
Количество страниц
Год
2013
Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах
99 000 UZS
Автор
Бугров, Владислав Евгеньевич
Количество страниц
Год
2013
Оптический отклик открытых полупроводниковых квантовых точек
99 000 UZS
Автор
Королев, Никита Викторович
Количество страниц
Год
2013
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3