Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках

Богословский, Никита Александрович. Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Богословский Никита Александрович; [Место защиты: Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН].- Санкт-Петербург, 2013.- 112 с.: ил. РГБ ОД, 61 13-1/374